[发明专利]DRAM测试方法、装置、可读存储介质及电子设备在审

专利信息
申请号: 202011136998.X 申请日: 2020-10-22
公开(公告)号: CN112216339A 公开(公告)日: 2021-01-12
发明(设计)人: 孙成思;孙日欣;刘冲;雷泰 申请(专利权)人: 深圳佰维存储科技股份有限公司
主分类号: G11C29/56 分类号: G11C29/56
代理公司: 深圳市博锐专利事务所 44275 代理人: 张鹏
地址: 518000 广东省深圳市南山区桃*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: dram 测试 方法 装置 可读 存储 介质 电子设备
【权利要求书】:

1.一种DRAM的测试方法,其特征在于,包括步骤:

以预设突发长度为单位从待测试的DRAM的每一第一预设读写单元的两端向中间写入数据直至所述待测试的DRAM的所有存储单元均写入数据,并进行与数据写入过程对应的数据读取,将读取的数据与其对应的写入数据进行比较,得到第一比较结果;

以预设突发长度为单位从待测试的DRAM的每一第二预设读写单元的两端向中间写入数据直至所述待测试的DRAM的所有存储单元均写入数据,并进行与数据写入过程对应的数据读取,将读取的数据与其对应的写入数据进行比较,得到第二比较结果;

在以所述预设突发长度为单位进行数据写入的过程中,通过掩码依次选通所述预设突发长度的预设写入位并屏蔽其余位直至所述预设突发长度对应的每一位均写入数据;

所述第一预设读写单元和所述第二预设读写单元不同;

根据所述第一比较结果和所述第二比较结果得到所述待测试的DRAM的测试结果。

2.根据权利要求1所述的一种DRAM的测试方法,其特征在于,所述第一预设读写单元为行,所述第二预设读写单元为列;

所述以预设突发长度为单位从待测试的DRAM的每一第一预设读写单元的两端向中间写入数据直至所述待测试的DRAM的所有存储单元均写入数据包括:

从待测试的DRAM的每一行的第一列和最后一列开始,以所述预设突发长度为单位同时向每一行的中间写入数据直至每一行的每一列均写入数据。

3.根据权利要求2所述的一种DRAM的测试方法,其特征在于,在以所述预设突发长度为单位对每一行进行数据写入的过程中:

对于位于每一行前半部分的第一预设突发长度,通过掩码按照所述第一预设突发长度中每一位对应的序号从小到大的顺序依次选通所述第一预设突发长度的每一位并屏蔽其余位直至所述第一预设突发长度对应的每一位均写入数据;

对于位于每一行后半部分与所述第一预设突发长度同时写入数据的对应的第二预设突发长度,通过掩码按照所述第二预设突发长度中每一位对应的序号从大到小的顺序依次选通所述第二预设突发长度的每一位并屏蔽其余位直至所述第二预设突发长度对应的每一位均写入数据。

4.根据权利要求1所述的一种DRAM的测试方法,其特征在于,所述第一预设读写单元为列,所述第二预设读写单元为行;

所述以预设突发长度为单位从待测试的DRAM的每一第一预设读写单元的两端向中间写入数据直至所述待测试的DRAM的所有存储单元均写入数据包括:

从待测试的DRAM的每一列的第一行和最后一行的开始,以所述预设突发长度为单位同时向每一列的中间写入数据直至每一列的每一行均写入数据。

5.根据权利要求4所述的一种DRAM的测试方法,其特征在于,在以所述预设突发长度为单位对每一列进行数据写入的过程中:

对于位于每一列前半部分的第三预设突发长度,通过掩码从所述第三预设突发长度的两端向中间依次同时选通位于两端的两位并屏蔽其余位直至所述第三预设突发长度对应的每一位均写入数据;

对于位于每一列后半部分与所述第三设突发长度同时写入数据的对应的第四预设突发长度,通过掩码从所述第四预设突发长度的两端向中间依次同时选通位于两端的两位并屏蔽其余位直至所述第四预设突发长度对应的每一位均写入数据。

6.根据权利要求4或5所述的一种DRAM的测试方法,其特征在于,以所述预设突发长度为单位依次选取对应数量的列构成阵列;

以所述阵列为单位进行数据的写入直至遍历完所述待测试的DRAM的所有列。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的一种DRAM的测试方法,其特征在于,所述进行与数据写入过程对应的数据读取包括:

以所述预设突发长度为单位进行与数据写入过程对应的数据读取;

在以所述预设突发长度为单位进行数据读取的过程中,直接读取所述预设突发长度内的所有数据。

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