[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 202011126718.7 申请日: 2020-10-20
公开(公告)号: CN112768414A 公开(公告)日: 2021-05-07
发明(设计)人: 长谷川和功;谷藤雄一;中村弘幸;佐藤幸弘;下山浩哉 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/495;H01L25/07
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 李辉
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本公开的各实施例涉及半导体装置。一种半导体装置包括:半导体芯片,该半导体芯片包括用于进行开关的场效应晶体管;裸片焊盘,半导体芯片经由第一键合材料被安装在该裸片焊盘上;引线,该引线通过金属板电连接到用于半导体芯片的源极的焊盘;引线耦合部,与引线一体地形成;以及用于密封它们的密封部。用于半导体芯片的漏极的背表面电极与裸片焊盘经由第一键合材料键合,金属板与用于半导体芯片的源极的焊盘经由第二键合材料键合,并且金属板与所引线耦合部经由第三键合材料键合。第一键合材料、第二键合材料和第三键合材料具有导电性,并且第一键合材料和第二键合材料中的每一项的弹性模量低于第三键合材料的弹性模量。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
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