[发明专利]半导体装置

说明书

本公开的各实施例涉及半导体装置。一种半导体装置包括：半导体芯片，该半导体芯片包括用于进行开关的场效应晶体管；裸片焊盘，半导体芯片经由第一键合材料被安装在该裸片焊盘上；引线，该引线通过金属板电连接到用于半导体芯片的源极的焊盘；引线耦合部，与引线一体地形成；以及用于密封它们的密封部。用于半导体芯片的漏极的背表面电极与裸片焊盘经由第一键合材料键合，金属板与用于半导体芯片的源极的焊盘经由第二键合材料键合，并且金属板与所引线耦合部经由第三键合材料键合。第一键合材料、第二键合材料和第三键合材料具有导电性，并且第一键合材料和第二键合材料中的每一项的弹性模量低于第三键合材料的弹性模量。

相关申请的交叉引用

于2019年10月21日提交的日本专利申请第2019-192015号的、包括说明书、附图和摘要的公开内容以引用的方式全部并入本文。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置，并且可以被适当地用于例如其中密封有包括用于进行开关的场效应晶体管的半导体芯片的半导体装置。

背景技术

被广泛用作电源电路的示例的逆变器电路具有如下配置：用于高侧开关的功率MOSFET和用于低侧开关的功率MOSFET被串联连接在提供有电源电压的端子与提供有接地电压的端子之间。通过由控制电路来控制用于高侧开关的功率MOSFET的栅极电压和用于低侧开关的功率MOSFET的栅极电压，可以通过逆变器电路来转换电源电压。

专利文献1公开了一种涉及半导体装置的技术，在该半导体装置中密封有：包括用于高侧开关的功率MOSFET的半导体芯片、包括用于低侧开关的功率MOSFET的半导体芯片、以及用于控制它们的半导体芯片。

下面列出了所公开的技术

[专利文献1]日本未经审查的专利申请公开第2018-121035号

发明内容

期望提高密封有包括用于进行开关的场效应晶体管的半导体芯片的半导体装置的可靠性。

其他目的和新特征将通过对本说明书和附图的描述变得明显。

根据实施例，半导体装置包括：第一半导体芯片，该第一半导体芯片包括用于进行开关的第一场效应晶体管；第一芯片安装部，第一半导体芯片经由第一键合材料被安装在该第一芯片安装部上；第一引线，该第一引线通过第一金属板电连接到用于第一半导体芯片的源极的第一焊盘；第一金属部，该第一金属部与第一引线一体地形成；以及用于密封它们的密封体。用于第一半导体芯片的漏极的第一背表面电极与第一芯片安装部经由第一键合材料键合，第一金属板与用于第一半导体芯片的源极的第一焊盘经由第二键合材料键合，并且第一金属板与第一金属部经由第三键合材料键合。第一键合材料、第二键合材料和第三键合材料具有导电性。第一键合材料和第二键合材料中的每一项的弹性模量低于第三键合材料的弹性模量。

根据实施例，可以提高半导体装置的可靠性。

附图说明

图1是示出了使用根据实施例的半导体装置的逆变器电路的电路图；

图2是根据实施例的半导体装置的俯视图；

图3是根据实施例的半导体装置的仰视图；

图4是根据实施例的半导体装置的平面透视图；

图5是根据实施例的半导体装置的平面透视图；

图6是根据实施例的半导体装置的平面透视图；

图7是根据实施例的半导体装置的横截面图；

图8是根据实施例的半导体装置的横截面图；

图9是根据实施例的半导体装置的横截面图；