[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 202011126718.7 申请日: 2020-10-20
公开(公告)号: CN112768414A 公开(公告)日: 2021-05-07
发明(设计)人: 长谷川和功;谷藤雄一;中村弘幸;佐藤幸弘;下山浩哉 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/495;H01L25/07
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 李辉
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,包括:

第一半导体芯片,包括用于进行开关的第一场效应晶体管;

第一芯片安装部,所述第一半导体芯片经由第一键合材料被安装在所述第一芯片安装部上;

第一引线,通过第一金属板电连接到用于所述第一半导体芯片的源极的第一焊盘;

第一金属部,与所述第一引线一体地形成;以及

密封体,所述第一半导体芯片、所述第一金属板、所述第一金属部、所述第一芯片安装部的至少一部分、以及所述第一引线的一部分被密封在所述密封体中,

其中用于所述第一半导体芯片的漏极的第一背表面电极与所述第一芯片安装部经由所述第一键合材料键合,

所述第一金属板与用于所述第一半导体芯片的源极的所述第一焊盘经由第二键合材料键合,

所述第一金属板与所述第一金属部经由第三键合材料键合,

所述第一键合材料、所述第二键合材料和所述第三键合材料具有导电性,并且

所述第一键合材料和所述第二键合材料中的每一项的弹性模量低于所述第三键合材料的弹性模量。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,还包括:

第二半导体芯片,包括用于进行开关的第二场效应晶体管;

第二芯片安装部,所述第二半导体芯片经由第四键合材料被安装在所述第二芯片安装部上;

第二引线,通过第二金属板电连接到用于所述第二半导体芯片的源极的第二焊盘;以及

第二金属部,与所述第二引线一体地形成,

其中所述密封体密封所述第二半导体芯片、所述第二金属板、所述第二金属部、所述第二芯片安装部的至少一部分、以及所述第二引线的一部分,

用于所述第二半导体芯片的漏极的第二背表面电极与所述第二芯片安装部经由所述第四键合材料键合,

所述第二金属板与用于所述第二半导体芯片的源极的所述第二焊盘经由第五键合材料键合,

所述第二金属板与所述第二金属部经由第六键合材料键合,

所述第四键合材料、所述第五键合材料和所述第六键合材料具有导电性,并且

所述第一键合材料、所述第二键合材料、所述第四键合材料和所述第五键合材料中的每一项的弹性模量低于所述第三键合材料和所述第六键合材料中的每一项的弹性模量。

3.根据权利要求2所述的半导体装置,

其中所述第一场效应晶体管用于高侧开关,并且

所述第二场效应晶体管用于低侧开关。

4.根据权利要求3所述的半导体装置,还包括:

第三半导体芯片,包括电路,所述电路被配置为控制所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片中的每个半导体芯片;以及

第三芯片安装部,所述第三半导体芯片经由第七键合材料被安装在所述第三芯片安装部上,

其中所述密封体密封所述第三半导体芯片和所述第三芯片安装部的至少一部分。

5.根据权利要求4所述的半导体装置,

其中所述第七键合材料的弹性模量低于所述第三键合材料和所述第六键合材料中的每一项的弹性模量。

6.根据权利要求5所述的半导体装置,

其中所述第一键合材料、所述第二键合材料、所述第四键合材料、所述第五键合材料和所述第七键合材料由相同的键合材料制成,并且

所述第三键合材料和所述第六键合材料由相同的键合材料制成。

7.根据权利要求6所述的半导体装置,

其中所述第一键合材料、所述第二键合材料、所述第三键合材料、所述第四键合材料、所述第五键合材料和所述第七键合材料中的每一项是银浆键合材料。

8.根据权利要求7所述的半导体装置,

其中所述第一键合材料、所述第二键合材料、所述第四键合材料、所述第五键合材料和所述第七键合材料中的每一项的银含量低于所述第三键合材料和所述第六键合材料中的每一项的银含量。

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