[发明专利]三维存储器及其制造方法

摘要

本发明涉及一种三维存储器及其制造方法。该三维存储器包括：衬底；形成于所述衬底上由栅极层和介质层交替堆叠的堆叠结构，所述堆叠结构包括核心存储区和字线连接区；贯穿所述堆叠结构的多个沟道结构；第一栅线隔槽，所述第一栅线隔槽沿第一方向延伸并将所述多个沟道结构划分成至少两个块存储区，所述第一栅线隔槽包括贯穿所述堆叠结构的第一隔断区，所述第一隔断区位于所述核心存储区和所述字线连接区之间的交界区域，所述第一隔断区将所述第一栅线隔槽隔断。本发明的三维存储器可以释放应力过渡区的应力突变，避免在栅线隔槽中形成缺口。