[发明专利]三维存储器及其制造方法

说明书

本发明涉及一种三维存储器及其制造方法。该三维存储器包括：衬底；形成于所述衬底上由栅极层和介质层交替堆叠的堆叠结构，所述堆叠结构包括核心存储区和字线连接区；贯穿所述堆叠结构的多个沟道结构；第一栅线隔槽，所述第一栅线隔槽沿第一方向延伸并将所述多个沟道结构划分成至少两个块存储区，所述第一栅线隔槽包括贯穿所述堆叠结构的第一隔断区，所述第一隔断区位于所述核心存储区和所述字线连接区之间的交界区域，所述第一隔断区将所述第一栅线隔槽隔断。本发明的三维存储器可以释放应力过渡区的应力突变，避免在栅线隔槽中形成缺口。

技术领域

本发明涉及集成电路的制造领域，尤其涉及一种避免栅线隔槽缺口的三维存储器及其制造方法。

背景技术

为了克服二维存储器件的限制，业界已经研发并大规模量产了具有三维(3D)结构的存储器件，其通过将存储器单元三维地布置在衬底之上来提高集成密度。在3D NAND存储器中，从存储单元阵列区到台阶区的交界区域，由于图案密度发生变化而引起了应力梯度急剧变化，从而在对栅线隔槽进行刻蚀时出现类似老鼠齿痕(Mouse Bite)的缺陷。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种避免栅线隔槽在应力过渡区产生缺口的三维存储器及其制造方法。

本发明为解决上述技术问题而采用的技术方案是一种三维存储器，其特征在于，包括：衬底；形成于所述衬底上由栅极层和介质层交替堆叠的堆叠结构，所述堆叠结构包括核心存储区和字线连接区；贯穿所述堆叠结构的多个沟道结构；第一栅线隔槽，所述第一栅线隔槽沿第一方向延伸并将所述多个沟道结构划分成至少两个块存储区，所述第一栅线隔槽包括贯穿所述堆叠结构的第一隔断区，所述第一隔断区位于所述核心存储区和所述字线连接区之间的交界区域，所述第一隔断区将所述第一栅线隔槽隔断。

在本发明的一实施例中，还包括：第二栅线隔槽，位于所述块存储区中，所述第二栅线隔槽沿所述第一方向延伸并将所述块存储区中的所述多个沟道结构划分成至少两个指存储区，所述第二栅线隔槽包括多个贯穿所述堆叠结构的第二隔断区，所述第二隔断区位于所述交界区域，所述第二隔断区将所述第二栅线隔槽隔断。

在本发明的一实施例中，还包括：第三栅线隔槽，位于所述块存储区中，所述第三栅线隔槽沿所述第一方向延伸并将所述块存储区中的所述多个沟道结构划分成至少两个指存储区，所述第三栅线隔槽在所述堆叠结构的上部部分包括切口，所述切口位于所述交界区域；以及顶部选择栅切线，位于所述指存储区中并沿所述第一方向延伸，所述顶部选择栅极切线将所述堆叠结构上部的若干顶部选择栅极层隔开；其中，所述顶部选择栅极切线的深度和所述切口的深度相同。

在本发明的一实施例中，还包括：贯穿所述堆叠结构的多个虚拟沟道结构，位于所述核心存储区和字线连接区。

在本发明的一实施例中，每个所述块存储区中包括2个所述第二栅线隔槽和3个所述指存储区，每个所述指存储区的面积相等。

在本发明的一实施例中，在所述核心存储区，位于每个所述指存储区中的沟道结构的行数相等。

在本发明的一实施例中，在所述交界区域中，位于每个所述指存储区中的沟道结构的行数相等。

在本发明的一实施例中，所述沟道结构在所述交界区域中沿垂直于所述第一方向的宽度小于所述沟道结构在所述核心存储区中其他区域中沿垂直于所述第一方向的宽度。

在本发明的一实施例中，所述第一隔断区和所述第一栅线隔槽之间包括第一界面。

在本发明的一实施例中，所述第二隔断区和所述第二栅线隔槽之间包括第二界面。