[发明专利]三维存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种三维存储器，其特征在于，包括：

衬底；

形成于所述衬底上由栅极层和介质层交替堆叠的堆叠结构，所述堆叠结构包括核心存储区和字线连接区；

贯穿所述堆叠结构的多个沟道结构；

第一栅线隔槽，所述第一栅线隔槽沿第一方向延伸并将所述多个沟道结构划分成至少两个块存储区，所述第一栅线隔槽包括贯穿所述堆叠结构的第一隔断区，所述第一隔断区位于所述核心存储区和所述字线连接区之间的交界区域，所述第一隔断区将所述第一栅线隔槽隔断。

2.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，还包括：

第二栅线隔槽，位于所述块存储区中，所述第二栅线隔槽沿所述第一方向延伸并将所述块存储区中的所述多个沟道结构划分成至少两个指存储区，所述第二栅线隔槽包括多个贯穿所述堆叠结构的第二隔断区，所述第二隔断区位于所述交界区域，所述第二隔断区将所述第二栅线隔槽隔断。

3.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，还包括：

第三栅线隔槽，位于所述块存储区中，所述第三栅线隔槽沿所述第一方向延伸并将所述块存储区中的所述多个沟道结构划分成至少两个指存储区，所述第三栅线隔槽在所述堆叠结构的上部部分包括切口，所述切口位于所述交界区域；以及

顶部选择栅极切线，位于所述指存储区中并沿所述第一方向延伸，所述顶部选择栅极切线将所述堆叠结构上部的若干顶部选择栅极层隔开；

其中，所述顶部选择栅极切线的深度和所述切口的深度相同。

4.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，还包括：

贯穿所述堆叠结构的多个虚拟沟道结构，位于所述核心存储区和字线连接区。

5.如权利要求2所述的三维存储器，其特征在于，每个所述块存储区中包括2个所述第二栅线隔槽和3个所述指存储区，每个所述指存储区的面积相等。

6.如权利要求2或3所述的三维存储器，其特征在于，在所述核心存储区，位于每个所述指存储区中的沟道结构沿所述第一方向延伸的行的数目相等。

7.如权利要求2或3所述的三维存储器，其特征在于，在所述交界区域中，位于每个所述指存储区中的沟道结构沿所述第一方向延伸的行的数目相等。

8.如权利要求1-3任一项所述的三维存储器，其特征在于，所述沟道结构在所述交界区域中沿垂直于所述第一方向的分布宽度小于所述沟道结构在所述核心存储区中其他区域中沿垂直于所述第一方向的分布宽度。

9.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述第一隔断区和所述第一栅线隔槽之间包括第一界面。

10.如权利要求2所述的三维存储器，其特征在于，所述第二隔断区和所述第二栅线隔槽之间包括第二界面。

11.一种三维存储器的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成由栅极层和介质层交替堆叠的堆叠结构，所述堆叠结构包括核心存储区和字线连接区；

在所述堆叠结构中形成贯穿所述堆叠结构的多个沟道结构；

在所述堆叠结构的中形成第一栅线隔槽，所述第一栅线隔槽沿第一方向延伸并将所述多个沟道结构划分成至少两个块存储区，所述第一栅线隔槽包括贯穿所述堆叠结构的第一隔断区，所述第一隔断区位于所述核心存储区和所述字线连接区之间的交界区域，所述第一隔断区将所述第一栅线隔槽隔断。

12.如权利要求11所述的制造方法，其特征在于，还包括：

在所述块存储区中形成第二栅线隔槽，所述第二栅线隔槽沿所述第一方向延伸并将所述块存储区中的所述多个沟道结构划分成至少两个指存储区，所述第二栅线隔槽包括多个贯穿所述堆叠结构的第二隔断区，所述第二隔断区位于所述交界区域，所述第二隔断区将所述第二栅线隔槽隔断。