[发明专利]半导体结构的制备工艺及半导体结构在审
| 申请号： | 202011097098.9 | 申请日： | 2020-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN114373677A | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 许俊杰 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/318 | 分类号： | H01L21/318 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 孙宝海;袁礼君 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出一种半导体结构的制备工艺及半导体结构，制备工艺包含以下步骤：通入第一硅源，在半导体结构的基底表面沉积形成第一含硅材料层；通入第一氮源，并采用化学气相沉积工艺，在第一含硅材料层表面沉积形成第一氮化材料层；通入第二硅源，在第一氮化材料层表面沉积形成第二含硅材料层；通入第二氮源，并采用等离子体沉积工艺，在第二含硅材料层表面沉积形成第二氮化材料层。本发明采用化学气相沉积与等离子体沉积交替沉积氮化物，在沉积氮化物之前先在导电层表面覆盖含硅材料层，能够进一步避免导电层在之后的沉积氮化物的制程中被氮化。本发明能够避免导电层被氮化，以此制得的半导体结构的薄膜阻值均匀性优良，具有较高的产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制备 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
