[发明专利]半导体结构的制备工艺及半导体结构在审
| 申请号： | 202011097098.9 | 申请日： | 2020-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN114373677A | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 许俊杰 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/318 | 分类号： | H01L21/318 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 孙宝海;袁礼君 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制备 工艺 | ||
1.一种半导体结构的制备工艺，其特征在于，包含以下步骤：
通入第一硅源，在半导体结构的基底表面沉积形成第一含硅材料层；
通入第一氮源，并采用化学气相沉积工艺，在所述第一含硅材料层表面沉积形成第一氮化材料层；
通入第二硅源，在所述第一氮化材料层表面沉积形成第二含硅材料层；
通入第二氮源，并采用等离子体沉积工艺，在所述第二含硅材料层表面沉积形成第二氮化材料层。
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备工艺，其特征在于，在形成所述第一含硅材料层的步骤中，是经由多个循环周期通入所述第一硅源。
3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备工艺，其特征在于，在形成所述第一含硅材料层的步骤中，通入所述第一硅源的循环周期的数量为3个～7个。
4.根据权利要求1所述的半导体结构的制备工艺，其特征在于，所述第一硅源包含二氯硅烷、三氯硅烷、硅烷的其中之一或者其中至少两个的组合物；和/或，所述第二硅源包含二氯硅烷、三氯硅烷、硅烷的其中之一或者其中至少两个的组合物。
5.根据权利要求1所述的半导体结构的制备工艺，其特征在于，所述第一氮源与所述第二氮源相同，所述第二氮源的流量大于所述第一氮源的流量。
6.根据权利要求5所述的半导体结构的制备工艺，其特征在于，所述第一氮源的通入流量为10slm～30slm；和/或，所述第二氮源的通入流量为20slm～50slm。
7.根据权利要求5所述的半导体结构的制备工艺，其特征在于，所述第一氮源包含氨气，所述第二氮源包含氨气。
8.根据权利要求1所述的半导体结构的制备工艺，其特征在于，所述第一氮化材料层的厚度为3nm～15nm。
9.根据权利要求1所述的半导体结构的制备工艺，其特征在于，所述第二氮化材料层的厚度为30nm～40nm。
10.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包含基底，所述基底表面设置有金属材料层，所述金属材料层表面依次设置有第一氮化材料层和第二氮化材料层，所述第一氮化材料层通过化学气相沉积工艺沉积形成，所述第二氮化材料层通过等离子体沉积工艺形成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
