[发明专利]一种富含缺陷的超薄二维纳米MoS2

摘要

本发明提供了一种富含缺陷的超薄二维纳米MoS2制备方法，属于光催化剂技术领域。本发明提供的制备方法包括以下步骤：(1)将市售的MoS2与有机酸还原剂混合，所述MoS2与有机酸还原剂的摩尔比为16:1～1:1；(2)向步骤(1)的混合物料中加入介质球进行球磨；(3)将球磨完毕的物料洗涤后干燥，即得富含缺陷的超薄二维纳米MoS2。本发明一方面采用机械力固相化学反应，具有所需设备简单便捷、无溶剂绿色环保易于宏量制备的特点；另一方面，通过酸性还原性物质与MoS2的原位化学反应实现对缺陷硫空位的构建，具备可控性高。本发明兼顾了简单便捷地剥离和原位缺陷构建的宏量制备，为现有富含缺陷的超薄二维纳米材料的制备提供了新的途径和思路。