[发明专利]一种富含缺陷的超薄二维纳米MoS2

权利要求书

1.一种富含缺陷的超薄二维纳米MoS₂制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤： (1)将市售的MoS₂与酸性还原性物质混合，所述MoS₂与酸性还原性物质的摩尔比为16:1～1:1；所述的酸性还原性物质包括柠檬酸钠、维生素C、盐酸羟胺或酒石酸中的任一种；(2)向步骤(1)的混合物料中加入介质球在室温条件和空气气氛下进行球磨，所述介质球与混合物料的质量比为80:1～50:1； (3)将球磨完毕的物料洗涤后干燥，即得富含缺陷的超薄二维纳米MoS₂。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述MoS₂的粒径2μm。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述介质球包括玛瑙介质球、氧化铝介质球、氧化锆介质球或者碳化硅介质球。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述球磨的转速为300～600 rpm/min，球磨时间为30～120min。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述球磨的方式为机械力球磨。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述洗涤的方式为依次用无水乙醇和去离子水各洗涤三次。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述干燥的方式为真空干燥或冷冻干燥。