[发明专利]一种基于标准单元阻挡层的芯片绕线方法在审

专利信息
申请号: 202011090712.9 申请日: 2020-10-13
公开(公告)号: CN112131824A 公开(公告)日: 2020-12-25
发明(设计)人: 王锐;关娜;莫军;王亚波;李建军 申请(专利权)人: 广芯微电子(广州)股份有限公司
主分类号: G06F30/394 分类号: G06F30/394;G06F30/392;G06F111/04
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 郭浩辉;麦小婵
地址: 510000 广东省广州市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种基于标准单元阻挡层的芯片绕线方法及装置及可读存储介质,所述方法包括:读入芯片设计;根据单元约束摆放标准单元;筛选出标准单元区域中绕线溢出的区域;根据所述绕线溢出的区域,制定棋盘格阵列式结构的标准单元阻挡层;往所述绕线溢出的区域添加所述棋盘格阵列式结构的标准单元阻挡层;对所述标准摆放单元区域进行叠加式优化。采用本发明实施例,能有效解决芯片设计中标准单元局部绕线拥塞的问题。
搜索关键词: 一种 基于 标准 单元 阻挡 芯片 方法
【主权项】:
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