[发明专利]一种基于标准单元阻挡层的芯片绕线方法在审

专利信息
申请号: 202011090712.9 申请日: 2020-10-13
公开(公告)号: CN112131824A 公开(公告)日: 2020-12-25
发明(设计)人: 王锐;关娜;莫军;王亚波;李建军 申请(专利权)人: 广芯微电子(广州)股份有限公司
主分类号: G06F30/394 分类号: G06F30/394;G06F30/392;G06F111/04
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 郭浩辉;麦小婵
地址: 510000 广东省广州市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 标准 单元 阻挡 芯片 方法
【权利要求书】:

1.一种基于标准单元阻挡层的芯片绕线方法,其特征在于,包括:

读入芯片设计;

根据单元约束摆放标准单元;

筛选出标准单元区域中绕线溢出的区域;

根据所述绕线溢出的区域,制定棋盘格阵列式结构的标准单元阻挡层;

往所述绕线溢出的区域添加所述棋盘格阵列式结构的标准单元阻挡层;

对所述标准单元区域进行叠加式优化。

2.如权利要求1所述的基于标准单元阻挡层的芯片绕线方法,其特征在于,所述读入芯片设计,具体包括读入工艺库文件以及门级网表。

3.如权利要求1所述的基于标准单元阻挡层的芯片绕线方法,其特征在于,所述单元约束包括芯片设计需要的面积约束、时序约束和功耗约束。

4.如权利要求1所述的基于标准单元阻挡层的芯片绕线方法,其特征在于,所述根据所述绕线溢出的区域,制定棋盘格阵列式结构的标准单元阻挡层,具体包括:

根据所述绕线溢出的区域,制定棋盘格阵列式结构的标准单元阻挡层单元尺寸大小以及pitch;所述pitch指的是一个标准单元阻挡层中心点到另外一个标准单元阻挡层中心点之间的距离。

5.如权利要求1所述的基于标准单元阻挡层的芯片绕线方法,其特征在于,所述往所述绕线溢出的区域添加所述棋盘格阵列式结构的标准单元阻挡层,之前还包括:

根据所述棋盘格阵列式结构的标准单元阻挡层,对所述绕线溢出的区域进行优化。

6.一种基于标准单元阻挡层的芯片绕线装置,其特征在于,包括:

读取模块,用于读入芯片设计;

摆放模块,用于根据单元约束摆放标准单元;

筛选模块,用于筛选出标准单元区域中绕线溢出的区域;

制定模块,用于根据所述绕线溢出的区域,制定棋盘格阵列式结构的标准单元阻挡层;

叠加模块,用于往所述绕线溢出的区域添加所述棋盘格阵列式结构的标准单元阻挡层;

优化模块,用于对所述标准单元区域进行叠加式优化。

7.一种计算机可读存储介质,其特征在于,所述计算机可读存储介质包括存储的计算机程序,其中,在所述计算机程序运行时控制所述计算机可读存储介质所在设备执行如权利要求1至5中任意一项所述的基于标准单元阻挡层的芯片绕线方法。

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