[发明专利]一种N型硅片的性能评估系统及方法在审
| 申请号： | 202011085040.2 | 申请日： | 2020-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN112071769A | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 张敏;杜娟;卢刚 | 申请（专利权）人： | 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司;黄河水电光伏产业技术有限公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰;贾珍珠 |
| 地址： | 810007 青海省西*** | 国省代码： | 青海;63 |
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| 摘要： | 本发明公开了N型硅片的性能评估系统及方法，所述系统包括输送单元、第一测试单元、第二测试单元、及控制处理单元，控制处理单元用于发送第一输送信号至输送单元；输送单元用于根据第一输送信号将n个硅片样品输送至第一测试单元；第一测试单元用于测试n个硅片样品的少子寿命；控制处理单元还用于根据n个少子寿命测试信息发送第二输送信号至输送单元；输送单元还用于根据第二输送信号将n个硅片样品中有效的m个硅片样品继续输送至第二测试单元；第二测试单元用于测试m个硅片样品的电阻率；控制处理单元还用于根据测试结果进一步对N型硅片性能进行评估。本发明旨在可靠的对N型硅片的性能进行评估，以此保证N型电池的转化效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 性能 评估 系统 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
