[发明专利]一种N型硅片的性能评估系统及方法

说明书

本发明公开了N型硅片的性能评估系统及方法，所述系统包括输送单元、第一测试单元、第二测试单元、及控制处理单元，控制处理单元用于发送第一输送信号至输送单元；输送单元用于根据第一输送信号将n个硅片样品输送至第一测试单元；第一测试单元用于测试n个硅片样品的少子寿命；控制处理单元还用于根据n个少子寿命测试信息发送第二输送信号至输送单元；输送单元还用于根据第二输送信号将n个硅片样品中有效的m个硅片样品继续输送至第二测试单元；第二测试单元用于测试m个硅片样品的电阻率；控制处理单元还用于根据测试结果进一步对N型硅片性能进行评估。本发明旨在可靠的对N型硅片的性能进行评估，以此保证N型电池的转化效率。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种N型硅片的性能评估系统及方法。

背景技术

随着光伏产业的迅速发展，市场对于太阳能电池及组件的性能及转换效率也提出了更高的要求。相比P型电池，N型具有无光衰、弱光效应好、温度系数低、高转化效率等优势，非常具有竞争力，太阳能电池成为主流方向，因此，提高并保障N型电池的转化效率成为当下太阳能电池领域研究的重点。而N型电池的转化效率的提升很大程度要依赖于N型硅片的电学性能，N型电池在进入产业化生产前，需筛选采购符合性能要求的N型硅片，但是现有的筛选有效很大程度基于厂家的数据标示，采购方并没有专门的可靠的性能评估方法去评估N型硅片的真实性能，这就导致实际最后生产的N型电池的转化效率并不能得到有效保障。

发明内容

为了解决上述问题，本发明提供一种N型硅片的性能评估系统及方法，旨在可靠的对N型硅片的性能进行评估，以此保证N型电池的转化效率。

本发明提出的具体技术方案为：一种N型硅片的性能评估系统，包括输送单元、依次设于所述输送单元传输路径上的第一测试单元和第二测试单元、及与所述输送单元、第一测试单元和第二测试单元连接的控制处理单元，其中；

所述控制处理单元用于发送第一输送信号至所述输送单元；

所述输送单元用于根据所述第一输送信号将n个硅片样品输送至第一测试单元，其中，n≥3；

所述第一测试单元用于测试所述n个硅片样品的少子寿命，并将n个少子寿命测试信息发送至所述控制处理单元；

所述控制处理单元还用于根据所述n个少子寿命测试信息发送第二输送信号至所述输送单元；

所述输送单元还用于根据所述第二输送信号将所述n个硅片样品中有效的m个硅片样品继续输送至第二测试单元，其中，m≤n；

所述第二测试单元用于测试所述m个硅片样品的电阻率，并将m个电阻率测试信息传输至所述控制处理单元；

所述控制处理单元还用于根据所述m个电阻率测试信息获得p个电阻率有效信息和p个少子寿命有效信息，并根据p个电阻率有效信息和p个少子寿命有效信息获得硅片样品的电阻率标准信息和少子寿命标准信息，依据所述电阻率标准信息和少子寿命标准信息评估所述N型硅片性能。

优选地，所述输送单元包括并排设置的n个输送子单元，每一所述输送子单元包括一传送带；

所述第一测试单元包括并排设置的n个第一测试子单元，每一所述第一测试子单元包括一少子寿命测试仪，一所述少子寿命测试仪位于一所述传送带的传输路径上；

所述第二测试单元包括并排设置的n个第二测试子单元，每一所述第二测试子单元包括一电阻率测试仪，一所述电阻率测试仪位于一所述传送带的传输路径上，且所述电阻率测试仪位于所述少子寿命测试仪的下游。

本发明提出的另一具体技术方案为：一种N型硅片的性能评估方法，采用上述所述的N型硅片的性能评估系统，所述评估方法包括步骤：

随机选取n个硅片样品A，其中，n≥3，且n为整数。