[发明专利]一种N型硅片的性能评估系统及方法

权利要求书

1.一种N型硅片的性能评估系统，其特征在于，包括输送单元(10)、依次设于所述输送单元(10)传输路径上的第一测试单元(20)和第二测试单元(30)、及与所述输送单元(10)、第一测试单元(20)和第二测试单元(30)连接的控制处理单元(40)，其中；

所述控制处理单元(40)用于发送第一输送信号至所述输送单元(10)；

所述输送单元(10)用于根据所述第一输送信号将n个硅片样品(A)输送至第一测试单元(20)，其中，n≥3；

所述第一测试单元(20)用于测试所述n个硅片样品(A)的少子寿命，并将n个少子寿命测试信息发送至所述控制处理单元(40)；

所述控制处理单元(40)还用于根据所述n个少子寿命测试信息发送第二输送信号至所述输送单元(10)；

所述输送单元(10)还用于根据所述第二输送信号将所述n个硅片样品(A)中有效的m个硅片样品(A)继续输送至第二测试单元(30)，其中，m≤n；

所述第二测试单元(30)用于测试所述m个硅片样品(A)的电阻率，并将m个电阻率测试信息传输至所述控制处理单元(40)；

所述控制处理单元(40)还用于根据所述m个电阻率测试信息获得p个电阻率有效信息和p个少子寿命有效信息，并根据p个电阻率有效信息和p个少子寿命有效信息获得硅片样品(A)的电阻率标准信息和少子寿命标准信息，依据所述电阻率标准信息和少子寿命标准信息评估所述N型硅片性能。

2.根据权利要求1所述的N型硅片的性能评估系统，其特征在于，所述输送单元(10)包括并排设置的n个输送子单元，每一所述输送子单元包括一传送带(11)；

所述第一测试单元(20)包括并排设置的n个第一测试子单元，每一所述第一测试子单元包括一少子寿命测试仪(21)，一所述少子寿命测试仪(21)位于一所述传送带(11)的传输路径上；

所述第二测试单元(30)包括并排设置的n个第二测试子单元，每一所述第二测试子单元包括一电阻率测试仪(31)，一所述电阻率测试仪(31)位于一所述传送带(11)的传输路径上，且所述电阻率测试仪(31)位于所述少子寿命测试仪(21)的下游。

3.一种N型硅片的性能评估方法，其特征在于，采用如权利要求1或2所述的N型硅片的性能评估系统，所述评估方法包括步骤：

随机选取n个硅片样品A，其中，n≥3，且n为整数；

测试n个硅片样品A的少子寿命，获得n个少子寿命测试信息。示例性的，可采用QSSPC(准稳态光电导衰减法)方法测试n个硅片样品A的少子寿命；

从n个少子寿命测试信息中筛选出m个少子寿命有效信息，其中，m≤n，且m为整数；

测试与m个少子寿命有效信息对应的m个硅片样品A的电阻率，获得m个电阻率测试信息。示例性的，可采用非接触涡流法测试与m个少子寿命有效信息对应的m个硅片样品A的电阻率；

从m个电阻率测试信息中筛选出p个电阻率有效信息，其中，p≤m，且p为整数；

获取与p个电阻率有效信息对应的p个硅片样品A的少子寿命有效信息，得到p个少子寿命有效信息；

根据p个电阻率有效信息和p个少子寿命有效信息获得硅片样品A的电阻率标准信息和少子寿命标准信息，根据电阻率标准信息和少子寿命标准信息评估N型硅片的性能。

4.根据权利要求3所述的N型硅片的性能评估方法，其特征在于，采用QSSPC方法测试n个硅片样品A的少子寿命；

采用非接触涡流法测试与m个少子寿命有效信息对应的m个硅片样品A的电阻率。

5.根据权利要求3所述的N型硅片的性能评估方法，其特征在于，在测试n个硅片样品A的少子寿命之前，还包括步骤：对硅片样品A进行钝化处理；

具体的，对硅片样品A进行钝化处理的过程为：

将硅片样品A用NaOH抛光处理10分钟；

将抛光处理后的硅片样品A置于HF酸溶液中清洗；

将清洗后的硅片样品A进行RCA清洗，去除硅片表面附着的颗粒、油污和金属杂质；

将清洗后的硅片样品A进行快速热氧化工艺在1050℃退火2分钟，在硅片样品A两边形成热稳定性良好的SiO₂钝化层。