[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202011065275.5 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN114334817A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 陈卓凡 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088;H01L21/033;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 吴凡 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，所述基底包括第一区域和第二区域，所述第一区域环绕于所述第二区域的侧部，所述基底包括图形材料层和分立于所述图形材料层上的第一核心层；在所述第二区域的所述第一核心层的侧壁上形成侧核心层，所述第一核心层和所述侧核心层作为第二核心层；在所述第一核心层和第二核心层的侧壁上形成侧墙层；去除所述第一核心层和第二核心层；以所述侧墙层为掩膜刻蚀所述图形材料层形成目标图形。本申请实施例在保证第一区域的目标图形的横向间隔不变的情况下，仅扩大被第一区域环绕的第二区域的目标图形的横向间隔，能够满足目标图形多样化横向间隔的要求，有利于提高半导体结构的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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