[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括第一区域和第二区域，所述第一区域环绕于所述第二区域的侧部，所述基底包括图形材料层和分立于所述图形材料层上的第一核心层；

在所述第二区域的所述第一核心层的侧壁上形成侧核心层，第二区域的所述第一核心层和所述侧核心层作为第二核心层；

在所述第一核心层和第二核心层的侧壁上形成侧墙层；

去除所述第一核心层和第二核心层；

以所述侧墙层为掩膜刻蚀所述图形材料层形成目标图形。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，以平行于所述图形材料层的表面，且垂直于所述第一核心层的侧壁为横向，在所述第二区域的所述第一核心层的侧壁上形成侧核心层的步骤中，所述侧核心层的横向尺寸大于2纳米且小于20纳米。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第二区域的所述第一核心层的侧壁上形成侧核心层的步骤包括：

在所述第一核心层和所述第一核心层露出的所述图形材料层上形成第一核心材料膜；

对所述第二区域的第一核心层侧壁上的所述第一核心材料膜进行掺杂，形成所述侧核心层，所述侧核心层的耐刻蚀度大于所述第一核心材料膜的耐刻蚀度；

所述半导体结构的形成方法还包括：形成所述侧核心层后，去除剩余的所述第一核心材料膜。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述第二区域的所述第一核心层侧壁上的所述第一核心材料膜进行掺杂的步骤包括：形成遮挡层，所述遮挡层覆盖所述第一区域且露出所述第二区域的第一核心层侧壁上的所述第一核心材料膜；

以所述遮挡层为掩膜，对所述第二区域的第一核心层侧壁上的所述第一核心材料膜进行掺杂，形成所述侧核心层；

所述半导体结构的形成方法还包括：形成侧核心层后，去除剩余的所述第一核心材料膜前，去除所述遮挡层。

5.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一核心材料膜的材料包括：无定形硅。

6.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用化学气相沉积工艺或者原子层沉积工艺形成所述第一核心材料膜。

7.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体结构的形成方法还包括：形成所述第一核心材料膜后，对所述第二区域的第一核心层侧壁上的所述第一核心材料膜进行掺杂前，去除所述第一核心层顶部的所述第一核心材料膜。

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用无掩膜干法刻蚀工艺去除所述第一核心层顶部的所述第一核心材料膜。

9.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用离子注入工艺对所述第二区域的第一核心层侧壁上的所述第一核心材料膜进行掺杂，形成侧核心层。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述第二区域的第一核心层侧壁上的所述第一核心材料膜进行掺杂的步骤中，注入离子包括B和C中的一种或两种，掺杂浓度为1.0E15原子每立方厘米至1.0E20原子每立方厘米，离子的注入方向与所述图形材料层表面法线的夹角小于30°。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用Cl₂和HBr中的一种或两种去除所述第一核心层和第二核心层。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，提供基底的步骤中，采用自对准双重成像工艺、自对准四重成像工艺或者自对准多重成像工艺图形化所述核心材料层，形成所述第一核心层。