[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，所述基底包括第一区域和第二区域，所述第一区域环绕于所述第二区域的侧部，所述基底包括图形材料层和分立于所述图形材料层上的第一核心层；在所述第二区域的所述第一核心层的侧壁上形成侧核心层，所述第一核心层和所述侧核心层作为第二核心层；在所述第一核心层和第二核心层的侧壁上形成侧墙层；去除所述第一核心层和第二核心层；以所述侧墙层为掩膜刻蚀所述图形材料层形成目标图形。本申请实施例在保证第一区域的目标图形的横向间隔不变的情况下，仅扩大被第一区域环绕的第二区域的目标图形的横向间隔，能够满足目标图形多样化横向间隔的要求，有利于提高半导体结构的电学性能。

技术领域

本申请实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

背景技术

光刻(photolithography)技术是常用的一种图形化方法，是半导体制造工艺中最为关键的生产技术。随着半导体工艺节点的不断减小，自对准双重图形化(self-aligneddouble patterning，SADP)方法成为近年来受到青睐的一种图形化方法，该方法能够增加形成于衬底上的图形的密度，进一步缩小相邻两个图形的间距(pitch)，从而使光刻工艺克服光刻分辨率的极限。

随着图形特征尺寸(critical dimension，CD)的不断缩小，自对准四重图形化(self-aligned quadruple patterning，SAQP)方法应运而生。自对准双重图形化方法在衬底上所形成图形的密度是利用光刻工艺在衬底上所形成图形的密度的两倍，即可以获得1/2最小间距(1/2pitch)，而自对准四重图形化方法在不改变目前光刻技术的前提下(即光刻窗口大小不变)，在衬底上所形成图形的密度是利用光刻工艺在衬底上所形成图形的密度的四倍，即可以获得1/4最小间距(1/4pitch)，从而可以极大地提高半导体集成电路的密度，缩小图形的特征尺寸，进而有利于器件性能的提高。

发明内容

本申请实施例解决的问题是提供一种半导体结构及其形成方法，提升器件的电学性能。

为解决上述问题，本申请实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括第一区域和第二区域，所述第一区域环绕于所述第二区域的侧部，所述基底包括图形材料层和分立于所述图形材料层上的第一核心层；在所述第二区域的所述第一核心层的侧壁上形成侧核心层，所述第一核心层和所述侧核心层作为第二核心层；在所述第一核心层和第二核心层的侧壁上形成侧墙层；去除所述第一核心层和第二核心层；以所述侧墙层为掩膜刻蚀所述图形材料层形成目标图形。

相应的，本申请实施例还提供一种半导体结构，包括：基底，所述基底包括第一区域和第二区域，所述第一区域环绕于所述第二区域的侧部；目标图形，分立于所述基底上，以垂直于所述第一区域的所述目标图形的延伸方向为横向，所述第二区域中目标图形之间的横向间隔大于所述第一区域中目标图形之间的横向间隔。

与现有技术相比，本申请实施例的技术方案具有以下优点：

本申请实施例所提供的半导体结构的形成方法中，所述第一区域环绕于所述第二区域的侧部，在所述第二区域的所述第一核心层的侧壁上形成侧核心层，第二区域II的所述第一核心层和所述侧核心层作为第二核心层，以平行于所述图形材料层的表面，且垂直于所述第一核心层延伸方向为横向，所述第二核心层的横向尺寸大于所述第一核心层的横向尺寸，在所述第二核心层的侧壁上形成侧墙层，相应的，所述第二区域的所述侧墙层之间的横向间隔大于所述第一区域的所述侧墙层之间的横向间隔，从而第二区域的目标图形的横向间隔大于所述第一区域的目标图形的横向间隔；综上，本申请实施例在保证第一区域的目标图形的横向间隔不变的情况下，仅扩大被第一区域环绕的第二区域的目标图形的横向间隔，能够满足目标图形多样化横向间隔的要求，有利于提高半导体结构的电学性能。