[发明专利]混合自旋转移矩磁性随机存取存储器(H-STT-MRAM)在审
| 申请号： | 202011025687.6 | 申请日： | 2020-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN112652339A | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 霍素国;张瑞华 | 申请（专利权）人： | 霍素国 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京久维律师事务所 11582 | 代理人： | 邢江峰 |
| 地址： | 英国37A埃罗尔花*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明是一种由非磁夹层隔离的垂直磁向异性磁隧道结(pma‑MTJ)和面内磁向异性磁隧道结(ima‑MTJ)面对面堆叠组成的混合型自旋转移矩磁阻随机存取存储器(H‑STT‑MRAM)。其中在任一个MTJ磁自由层写入时,会受到来自另一个MTJ磁自由层通过非磁夹层施加的一个垂直于普通自旋转移矩(STT)的附加自旋转移矩(STT)来协助写入,以提高MTJ的写入性能。还提出了一种由Ru夹层隔开的两个磁自由层组成的合成反铁磁体自由层(SAF FL)结构来替代ima‑MTJ中的磁自由层(FL)，以改善其面内磁向异性自由层存储的稳定性，从而由进一步减小存储单元的尺寸来实现ima‑MTJ和pma‑MTJ面内尺寸匹配的高密度存储。还提出了高位H‑STST‑MRAM器件及其读、写方法和其组成的2D和3D阵列以实现超高面密度存储。 | ||
| 搜索关键词： | 混合 自旋 转移 磁性 随机存取存储器 stt mram | ||
【主权项】：
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