[发明专利]一种PSINT基高熵陶瓷电卡制冷材料的制备方法有效
| 申请号： | 202010991507.3 | 申请日： | 2020-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN112062565B | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 彭彪林;于芳 | 申请（专利权）人： | 广西大学 |
| 主分类号： | C04B35/497 | 分类号： | C04B35/497;C04B35/622 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 卢波 |
| 地址： | 530004 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种PSINT基高熵陶瓷电卡制冷材料的制备方法，属于化学工程技术领域。一种PSINT基高熵陶瓷电卡制冷材料的制备方法，将原料与酒精球磨，研磨所得的混合粉烘干、压柱；所得的原料块煅烧合成，研磨后得到陶瓷颗粒；压制成陶瓷胚体；在所得陶瓷颗粒覆盖下烧结；退火，制得所需陶瓷材料。本制备方法可以在室温及以下得到较优异的电卡性能；同时，可以通过改变多元高熵原理、退火时间及温度控制陶瓷的结构与性能。本发明制备方法相对简单，是一种方便快捷的制备技术。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 psint 基高熵 陶瓷 制冷 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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