[发明专利]一种PSINT基高熵陶瓷电卡制冷材料的制备方法

权利要求书

1.一种PSINT基高熵陶瓷电卡制冷材料的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

1)将制备PSINT原料与酒精球磨，研磨所得的混合粉烘干、压柱制得原料块，所述制备PSINT原料包括PbO₂、Ta₂O₅、Sc₂O₃、In₂O₃和Nb₂O₅，所述PSINT通式为PbSc_xIn_yNb_0.5-xTa_0.5-yO₃，其中0＜x＜0.5，0＜y＜0.5；

2)将步骤1)所得的原料块煅烧合成，研磨后得到陶瓷颗粒；

3)陶瓷颗粒压制成陶瓷胚体；

4)将所得陶瓷胚体在步骤2)所得颗粒覆盖下烧结，所述烧结温度为1200-1300℃，保温8-10小时；

5)将步骤4)所得产品退火，制得所需陶瓷材料；

步骤2)所述煅烧温度800-900℃，煅烧时间为2-4小时，步骤5)所述退火温度为1100-1200℃，退火时间为8-10h、18-20h、28-30h、38-40h和48-50h中的任何一个时间。

2.根据权利要求1所述的PSINT基高熵陶瓷电卡制冷材料的制备方法，其特征在于，步骤1)所述球磨的转速为400-600rpm，球磨时间为10-16小时。

3.根据权利要求1所述的PSINT基高熵陶瓷电卡制冷材料的制备方法，其特征在于，步骤1)所述烘干温度为100-150℃。

4.根据权利要求1所述的PSINT基高熵陶瓷电卡制冷材料的制备方法，其特征在于，步骤3)所述压制是在25-30MPa冷等静压条件下保压4-8分钟。