[发明专利]一种双基岛半导体器件封装框架在审
| 申请号： | 202010989687.1 | 申请日： | 2020-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN112071820A | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 王磊 | 申请（专利权）人： | 苏州晶界半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易试验区苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双基岛半导体器件封装框架,包括基材层，所述基材层由绝缘材料制成；过孔，将所述基材层从底面贯通至上表面；导电金属层，位于所述基材层的所述底面和所述上表面上；过孔引出金属，设置在从所述基材层的所述底面贯穿至所述上表面的过孔中，且电气连接在所述底面的所述导电金属层和所述上表面的所述导电金属层之间。本发明的优点在于：通过设置双基岛的结构，不仅优化了封装工艺流程，降低了封装成本，而且提升了器件的参数性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双基岛 半导体器件 封装 框架 | ||
【主权项】：
暂无信息
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