[发明专利]一种双基岛半导体器件封装框架在审
| 申请号： | 202010989687.1 | 申请日： | 2020-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN112071820A | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 王磊 | 申请（专利权）人： | 苏州晶界半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易试验区苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 双基岛 半导体器件 封装 框架 | ||
【权利要求书】：
1.一种双基岛半导体器件封装框架，其特征在于，包括：
基材层，所述基材层由绝缘材料制成；
过孔，将所述基材层从底面贯通至上表面；
导电金属层，位于所述基材层的所述底面和所述上表面上；
过孔引出金属，设置在从所述基材层的所述底面贯穿至所述上表面的过孔中，且电气连接在所述底面的所述导电金属层和所述上表面的所述导电金属层之间。
2.根据权利要求1所述的一种双基岛半导体器件封装框架，其特征在于，所述基材层采用的材料为Si3N4、Al2O3、AlN、或金刚石。
3.根据权利要求1所述的一种双基岛半导体器件封装框架，其特征在于，所述的导电金属层外部还覆盖有复合金属层。
4.根据权利要求1或3所述的一种双基岛半导体器件封装框架，其特征在于，所述的导电金属层包括基材层的上表面金属导电层和底面金属导电层。
5.根据权利要求1或4所述的一种双基岛半导体器件封装框架，其特征在于，所述的上表面金属导电层包括两个基岛区域和若干个引脚区域。
6.根据权利要求1或4所述的一种双基岛半导体器件封装框架，其特征在于，所述的底面金属导电层包括单个基岛区域和若干个引脚区域。
7.根据权利要求1所述的一种双基岛半导体器件封装框架，其特征在于，所述的双基岛半导体器件封装形式为DFN封装形式。
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