[发明专利]一种双基岛半导体器件封装框架

说明书

本发明公开了一种双基岛半导体器件封装框架,包括基材层，所述基材层由绝缘材料制成；过孔，将所述基材层从底面贯通至上表面；导电金属层，位于所述基材层的所述底面和所述上表面上；过孔引出金属，设置在从所述基材层的所述底面贯穿至所述上表面的过孔中，且电气连接在所述底面的所述导电金属层和所述上表面的所述导电金属层之间。本发明的优点在于：通过设置双基岛的结构，不仅优化了封装工艺流程，降低了封装成本，而且提升了器件的参数性能。

技术领域

本发明属于半导体器件封装技术领域，特别涉及一种双基岛半导体器件封装框架。

背景技术

随着电子应用方案系统的发展，产品对应用系统的电功率密度要求越来越高。如何解决散热问题，优化系统的热管理变得越来越重要。

散热和小型化是不断发展的电子应用持续讨论的难题，为了解决这个难题，首先必须提升功率器件的散热能力和功率密度。功率器件从最初的长引脚型TO系列封装发展到今天的平面无引脚DFN系列封装。DFN封装较过去传统封装形式通过删除了长引脚和内置金属散热器，不仅改善了寄生电容和电感，同时提高了散热性能和缩减了占位面积。

基于级联结构的双芯片半导体功率器件，经过研究和试验，本发明提出了双基岛半导体器件封装框架结构，不仅可以优化封装工艺流通，降低封装成本，而且提升了器件的参数性能。

发明内容

本发明的主要目的在于提出一种双基岛半导体器件封装框架，通过设置双基岛的结构，不仅优化了封装工艺流程，降低了封装成本，而且提升了器件的参数性能。

为实现上述目的，本发明采用的一个技术方案是：提供一种双基岛半导体器件封装框架，包括：基材层，所述基材层由绝缘材料制成；过孔，将所述基材层从底面贯通至上表面；导电金属层，位于所述基材层的所述底面和所述上表面上；过孔引出金属，设置在从所述基材层的所述底面贯穿至所述上表面的过孔中，且电气连接在所述底面的所述导电金属层和所述上表面的所述导电金属层之间。

优选地，所述基材层采用的材料为Si₃N₄、Al₂O₃、AlN、或金刚石。

优选地，所述的导电金属层外部还覆盖有复合金属层。

优选地，所述的导电金属层包括基材层的上表面金属导电层和底面金属导电层。

优选地，所述的上表面金属导电层包括两个基岛区域和若干个引脚区域。

优选地，所述的底面金属导电层包括单个基岛区域和若干个引脚区域。

优选地，所述的双基岛半导体器件封装形式为DFN封装形式。

本发明的有益效果为，该双基岛半导体器件封装框架通过设置双基岛的结构，不仅优化了封装工艺流程，降低了封装成本，而且提升了器件的参数性能。

附图说明

图1是本发明提供的一种双基岛半导体器件封装框架的俯视图。

图2是本发明提供的一种双基岛半导体器件封装框架的双基岛区域剖视图

图3是本发明提供的一种双基岛半导体器件封装框架的引脚区域剖视图

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例，详细说明本发明的技术方案。

本发明提供的一种氮化物器件的结构示意图，如图1所示，包括基材层1、过孔2、过孔引出金属3、上表面基岛区域金属一4、上表面基岛区域金属二5、上表面引脚区域金属一6、上表面引脚区域金属二7、上表面引脚区域金属三8、底面散热区域金属9、底面引脚区域金属一10、底面引脚区域金属二11、底面引脚区域金属三12。