[发明专利]一种二极管漏电流抑制电路在审

专利信息
申请号: 202010973225.0 申请日: 2020-09-16
公开(公告)号: CN112114236A 公开(公告)日: 2020-12-22
发明(设计)人: 梁伟 申请(专利权)人: 绍兴文理学院
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26;G01R31/52;G01R1/30
代理公司: 绍兴普华联合专利代理事务所(普通合伙) 33274 代理人: 丁建清
地址: 312000 *** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 一种二极管漏电流抑制电路,属于二极管作为单向开关器件应用于电子器件参数测试电路技术领域。本发明包括MOS管Q1、控制开关K1、MOS管Q2、控制开关K2、MOS管Q3、控制开关K3、MOS管Q4、控制开关K4、MOS管Q5、控制开关K5、单向隔离二极管D1、漏电流采样电阻RS和运算放大器U1,运算放大器U1的同向输入端接单向隔离二极管D1的负极,运算放大器U1的反向输入端接单向隔离二极管D1的正极。本发明通过设置运算放大器,当进行反向漏电流测试时,运算放大器处于跟随器模式,运算放大器的输出电压与同向输入端的电压相等,强制将单向隔离二极管上的压降为零,使其漏电流为零,从而提高测试的准确度。
搜索关键词: 一种 二极管 漏电 抑制 电路
【主权项】:
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