[发明专利]一种二极管漏电流抑制电路在审
| 申请号： | 202010973225.0 | 申请日： | 2020-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN112114236A | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 梁伟 | 申请（专利权）人： | 绍兴文理学院 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R31/52;G01R1/30 |
| 代理公司： | 绍兴普华联合专利代理事务所(普通合伙) 33274 | 代理人： | 丁建清 |
| 地址： | 312000 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 二极管 漏电 抑制 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种二极管漏电流抑制电路，其特征在于，包括MOS管Q1、用于控制MOS管Q1开关的控制开关K1、MOS管Q2、用于控制MOS管Q2开关的控制开关K2、MOS管Q3、用于控制MOS管Q3开关的控制开关K3、MOS管Q4、用于控制MOS管Q4开关的控制开关K4、MOS管Q5、用于控制MOS管Q5开关的控制开关K5、单向隔离二极管D1、漏电流采样电阻RS、以及运算放大器U1，所述MOS管Q1的源极接运算放大器U1的输出端，所述MOS管Q1的漏极分别接运算放大器U1的反向输入端、MOS管Q2的源极和单向隔离二极管D1的正极，所述MOS管Q3的漏极通过漏电流采样电阻RS分别接单向隔离二极管D1的负极和运算放大器U1的同向输入端，所述MOS管Q3的源极接MOS管Q5的源极，且其公共连接端接地，所述MOS管Q5的漏极接MOS管Q4的源极。
2.根据权利要求1所述的一种二极管漏电流抑制电路，其特征在于，所述运算放大器的型号为OPA192，输入端电流典型值±5pA，输入失调电压典型值±5uV。
3.根据权利要求1所述的一种二极管漏电流抑制电路，其特征在于，在进行反向漏电流测试时，运算放大器U1处于跟随器模式，将单向隔离二极管D1两端的电压为零。
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