[发明专利]一种二极管漏电流抑制电路

说明书

一种二极管漏电流抑制电路，属于二极管作为单向开关器件应用于电子器件参数测试电路技术领域。本发明包括MOS管Q1、控制开关K1、MOS管Q2、控制开关K2、MOS管Q3、控制开关K3、MOS管Q4、控制开关K4、MOS管Q5、控制开关K5、单向隔离二极管D1、漏电流采样电阻RS和运算放大器U1，运算放大器U1的同向输入端接单向隔离二极管D1的负极，运算放大器U1的反向输入端接单向隔离二极管D1的正极。本发明通过设置运算放大器，当进行反向漏电流测试时，运算放大器处于跟随器模式，运算放大器的输出电压与同向输入端的电压相等，强制将单向隔离二极管上的压降为零，使其漏电流为零，从而提高测试的准确度。

技术领域

本发明属于二极管作为单向开关器件应用于电子器件参数测试电路技术领域，具体是涉及一种二极管漏电流抑制电路。

背景技术

二极管作为一种单向导通器件，经常被用在各种测控电路中进行信号的选择性通过。正向工作的时候，要求通过很大的电流，反向的时候，又要求它完全截止，不能够有漏电流存在，这个漏电流包括正向漏电流和反向漏电流。实际上，二极管在正常工作时，由于它本身的工作原理，是无法实现无漏电流的，这会影响某些测试电路的测试准确度。

二极管的工作原理如下：

正向性：在外加正向电压时，在正向特征的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。

反向性：外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态，这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流。

如图1所示，为现有二极管参数测试电路，它能够测试二极管正向导通特性和反向漏电流特性。二极管DX是被测二极管，通过控制控制开关K2、控制开关K3、控制开关K4和控制开关K5的开关信号来控制MOS管Q2、MOS管Q3、MOS管Q4、MOS管Q5的开关，即可实现二极管DX的正向导通特性和反向漏电流特性的测试。具体测试操作为：

测试正向导通特性：打开控制开关K2和控制开关K5，关闭控制开关K3和控制开关K4，正向测试电流I通过MOS管Q2和单向隔离二极管D1后，流过二极管DX，这时可以通过测量二极管DX两端的正向压降，获得正向特性指标。

测试反向漏电流特性：打开控制开关K3和控制开关K4，关闭控制开关K2和控制开关K5，反向测试电压VCC加载到二极管DX的反向端，通过测试漏电流采样电阻RS上的压降，获得漏电流大小。

在测试反向漏电流的时候，单向隔离二极管D1如果存在漏电流，则会对测量结果造成误差。实际情况是，单向隔离二极管D1要通过较大正向测试电流，它一定采用一只大功率二极管，当它处于反偏置时，一定存在一个比二极管DX更大的漏电流，同时MOS管Q2自身关断时的漏电流也会导致单向隔离二极管D1存在正向漏电流。单向隔离二极管D1的漏电流流过漏电流采样电阻RS，直接造成对二极管DX的反向漏电流测试误差。

因此需要提出一种新的方案来解决这个问题，能够真正实现二极管的理想开关性能。

发明内容

本发明主要是解决上述现有技术所存在的技术问题，提供一种二极管漏电流抑制电路。