[发明专利]存储器件及其测试方法在审
申请号: | 202010966528.X | 申请日: | 2020-09-15 |
公开(公告)号: | CN113345511A | 公开(公告)日: | 2021-09-03 |
发明(设计)人: | 李桢埈 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C29/42 | 分类号: | G11C29/42 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人: | 许伟群;郭放 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种采用片上ECC方案的存储器件包括多个存储体,每个存储体包括正常单元区域和奇偶性单元区域;多个奇偶性生成电路,每个奇偶性生成电路生成要存储在对应存储体中的正常单元区域中的写入数据的奇偶校验位;测试输入电路,通过比较相应存储体的奇偶校验位来生成公共测试比特位,以及通过将写入数据的比特位与公共测试比特位进行比较来生成独立测试比特位;多个写入电路,每个写入电路将写入数据写入到对应存储体中的正常单元区域以及将独立测试比特位写入到对应存储体中的奇偶性单元区域;以及多个测试输出电路,每个测试输出电路将从正常单元区域读取的数据与从对应存储体中的奇偶性单元区域读取的独立测试比特位进行比较。 | ||
搜索关键词: | 存储 器件 及其 测试 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司,未经爱思开海力士有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010966528.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。