[发明专利]存储器件及其测试方法在审
申请号: | 202010966528.X | 申请日: | 2020-09-15 |
公开(公告)号: | CN113345511A | 公开(公告)日: | 2021-09-03 |
发明(设计)人: | 李桢埈 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C29/42 | 分类号: | G11C29/42 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人: | 许伟群;郭放 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储 器件 及其 测试 方法 | ||
1.一种存储器件,包括:
多个存储体,每个存储体包括正常单元区域和奇偶性单元区域;
多个奇偶性生成电路,每个奇偶性生成电路适用于生成针对要存储在所述多个存储体中的对应存储体中的正常单元区域中的写入数据的奇偶校验位;
测试输入电路,适用于:通过比较相应存储体的奇偶校验位来生成公共测试比特位,以及通过将所述写入数据的比特位与所述公共测试比特位进行比较来生成独立测试比特位;
多个写入电路,每个写入电路适用于:将所述写入数据写入到所述对应存储体中的正常单元区域以及将所述独立测试比特位写入到所述对应存储体中的奇偶性单元区域;以及
多个测试输出电路,每个测试输出电路适用于:将从所述对应存储体中的所述正常单元区域读取的数据与从所述对应存储体中的奇偶性单元区域读取的独立测试比特位进行比较。
2.如权利要求1所述的存储器件,其中,每个所述写入电路包括:
正常写入电路,适用于将所述写入数据写入到对应存储体中的正常单元区域;以及
奇偶性写入电路,适用于将所述独立测试比特位写入到对应存储体中的奇偶性单元区域。
3.如权利要求1所述的存储器件,其中,所述测试输入电路包括:
公共输入电路,适用于通过根据测试写入信号比较相应存储体的奇偶校验位来生成所述公共测试比特位;以及
多个独立输入电路,分别对应于所述多个存储体,并且适用于通过将所述写入数据的比特位与所述公共测试比特位进行比较来生成所述独立测试比特位。
4.如权利要求3所述的存储器件,其中,所述公共输入电路包括:
多个第一逻辑单元,每个第一逻辑单元适用于按比特位对所述多个存储体中的两个存储体的奇偶校验位执行异或运算;以及
第一输出单元,适用于将所述第一逻辑单元的输出信号输出作为所述公共测试比特位。
5.如权利要求3所述的存储器件,其中,每个所述独立输入电路包括:
多个第二逻辑单元,适用于对所述写入数据的比特位和所述公共测试比特位执行异或运算;以及
第二输出单元,适用于将所述第二逻辑单元的输出信号输出作为所述独立测试比特位。
6.如权利要求3所述的存储器件,其中,所述测试输入电路还包括多个开关,所述多个开关向所述公共输入电路提供与相应存储体对应的奇偶校验位。
7.如权利要求1所述的存储器件,其中,每个所述测试输出电路对从所述正常单元区域读取的数据的比特位与从对应存储体中的奇偶性单元区域读取的独立测试比特位执行异或运算并且输出运算结果作为测试结果信号。
8.一种存储器件的测试方法,包括:
生成针对要存储在多个存储体中的每个存储体中的正常单元区域中的写入数据的奇偶校验位;
通过比较相应存储体的奇偶校验位生成公共测试比特位,以及通过将所述写入数据的比特位与所述公共测试比特位进行比较来生成独立测试比特位;
将所述写入数据写入到所述正常单元区域以及将所述独立测试比特位写入到对应存储体中的奇偶性单元区域;以及
将从所述正常单元区域读取的数据与从对应存储体中的奇偶性单元区域读取的独立测试比特位进行比较。
9.如权利要求8所述的测试方法,其中,生成所述公共测试比特位包括:通过按比特位对所述多个存储体中的两个存储体的奇偶校验位执行异或运算来生成所述公共测试比特位。
10.如权利要求8所述的测试方法,其中,生成所述独立测试比特位包括:通过对所述写入数据的比特位和所述公共测试比特位执行异或运算来生成所述独立测试比特位。
11.如权利要求8所述的测试方法,其中,比较读取的数据包括:通过对从所述正常单元区域读取的数据的比特位与从对应存储体中的奇偶性单元区域读取的独立测试比特位执行异或运算来输出测试结果信号。
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