[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202010962209.1 | 申请日： | 2020-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN114188412A | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成掺杂层，所述掺杂层包括多个相邻的第一区和第二区；在所述第一区上形成沟道柱；在所述第二区表面形成接触层。所述接触层覆盖所述第二区表面，使第二区表面的电阻降低，使所述掺杂层通过位于所述接触层上的第一导电插塞与外界电路连接时，有效降低所述掺杂层与第一导电插塞之间的接触电阻；另一方面，有效降低位于所述第二区表面的第一导电插塞与位于所述沟道柱表面的第二导电插塞之间的寄生电容。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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