[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202010962209.1 | 申请日： | 2020-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN114188412A | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
衬底；
位于所述衬底上的掺杂层，所述掺杂层包括相邻的第一区和第二区；
位于所述第一区上的沟道柱；
位于所述第二区表面的接触层。
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述接触层部分表面的第一导电插塞。
3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述沟道柱侧壁和所述第一区表面的栅介质层。
4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述栅介质层的材料包括高K介质材料。
5.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述掺杂层和接触层表面的隔离层，所述隔离层位于沟道柱侧壁的部分栅介质层表面，且所述隔离层表面低于所述沟道柱的顶部表面。
6.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述栅介质层和所述沟道柱侧壁、所述第一区表面之间的栅氧层。
7.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述栅氧层的材料包括氧化硅。
8.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述隔离层和所述栅介质层之间的覆盖层。
9.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述覆盖层的材料包括氧化物。
10.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述沟道柱侧壁的栅介质层表面的栅极层，所述栅极层包围所述沟道柱，且所述栅极层还位于所述第一区上的所述隔离层表面。
11.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，包括：所述栅极层与所述栅介质层之间还具有功函数层。
12.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极层的材料包括金属。
13.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述隔离层表面的层间介质层，所述层间介质层还位于所述栅极层表面。
14.如权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述第一导电插塞还位于所述层间介质层和所述隔离层内。
15.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述掺杂层和所述沟道柱内掺杂有N型离子或P型离子。
16.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述接触层的材料包括金属硅化物。
17.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述沟道柱顶部表面的硬掩膜层。
18.如权利要求17所述的半导体结构，其特征在于，所述硬掩膜层的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、碳氮化硅或碳氮氧化硅等绝缘材料中的一种或多种。
19.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成掺杂层，所述掺杂层包括相邻的第一区和第二区；
在所述第一区上形成沟道柱；
在所述第二区表面形成接触层。
20.如权利要求19所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述接触层的部分表面形成第一导电插塞。
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