[发明专利]半导体装置的控制方法在审
| 申请号： | 202010951181.1 | 申请日： | 2020-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN113345958A | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 坂野竜则;下条亮平 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 李今子 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供半导体装置的控制方法，能够降低接通时损耗。半导体装置具备第1电极与第2电极间的半导体部及设置于半导体部与第1电极间的第1～第3控制电极。半导体部包括第1导电类型的第1层、第2导电类型的第2层、第1导电类型的第3层及第2导电类型的第4层。第2层设置于第1层与第1电极间，第3层设置于第2层与第1电极间，第4层设置于第1层与第2电极间。对第1～第3控制电极在第1～第3时间点分别施加比阈值电压高的第1～第3电压。在第1～第3时间点后的第4时间点将第3电压降低到比阈值电压低的电平，在第4时间点后的第5时间点将第2电压降低到比阈值电压低的电平，在第5时间点后的第6时间点将第1电压降低到比阈值电压低的电平。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 控制 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社，未经株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010951181.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体装置
- 下一篇：超高韧性的大掺量粉煤水泥基复合材料及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
