[发明专利]半导体装置的控制方法

权利要求书

1.一种半导体装置的控制方法，该半导体装置具备：

第1电极；

第2电极，与所述第1电极对置；

半导体部，设置于所述第1电极与所述第2电极之间；以及

第1控制电极、第2控制电极及第3控制电极，设置于所述半导体部与所述第1电极之间，与所述半导体部及所述第1电极电绝缘，相互电分离，

所述半导体部包括第1导电类型的第1层、第2导电类型的第2层、所述第1导电类型的第3层以及所述第2导电类型的第4层，

所述第1控制电极、所述第2控制电极及所述第3控制电极从所述半导体部的表面侧在所述第1层中延伸，

所述第2层设置于所述第1层与所述第1电极之间，

所述第3层选择性地设置于所述第2层与所述第1电极之间，与所述第1电极电连接，

所述第4层设置于所述第1层与所述第2电极之间，与所述第2电极电连接，在所述控制方法中，

在第1时间点，使施加到所述第1控制电极与所述第1电极之间的第1控制电压从比所述第1控制电极的第1阈值电压低的第1截止电压上升到比所述第1阈值电压高的第1导通电压，

在第2时间点，使施加到所述第2控制电极与所述第1电极之间的第2控制电压从比所述第2控制电极的第2阈值电压低的第2截止电压上升到比所述第2阈值电压高的第2导通电压，

在第3时间点，使施加到所述第3控制电极与所述第1电极之间的第3控制电压从比所述第3控制电极的第3阈值电压低的第3截止电压上升到比所述第3阈值电压高的第3导通电压，

在所述第1时间点、所述第2时间点及所述第3时间点以后的第4时间点，将所述第3控制电压降低到比所述第3阈值电压低的电平，

在所述第4时间点以后的第5时间点，将所述第2控制电压降低到比所述第2阈值电压低的电平，

在所述第5时间点以后的第6时间点，将所述第1控制电压降低到比所述第1阈值电压低的电平。

2.根据权利要求1所述的控制方法，其中，

在所述第4时间点，将所述第3控制电压降低到所述第3截止电压，

在所述第5时间点，将所述第2控制电压降低到所述第2截止电压，

在所述第6时间点，将所述第2控制电压降低到所述第1截止电压。

3.根据权利要求1所述的控制方法，其中，

所述第3导通电压和所述第3截止电压的差小于所述第1导通电压和所述第1截止电压的差、以及所述第2导通电压和所述第2截止电压的差，

所述第3时间点在所述第1时间点以及所述第2时间点之后。

4.根据权利要求3所述的控制方法，其中，

在所述第5时间点或者所述第5时间点与所述第6时间点之间的第7时间点，将所述第3控制电压降低到比所述第3截止电压更低的电平，

在所述第6时间点以后的第8时间点，使所述第3控制电压返回到所述第3截止电压。

5.根据权利要求3所述的控制方法，其中，

所述第1电极被保持为比所述第2电极的第2电位低的第1电位，

在所述第1时间点，所述第1控制电极的电位从比所述第1电位低的电平变化为比所述第1电位高的电平，

在所述第2时间点，所述第2控制电极的电位从比所述第1电位低的电平变化为比所述第1电位高的电平，

在所述第3时间点，所述第3控制电极的电位从与所述第1电位相同的电平变化为比所述第1电位高的电平。

6.根据权利要求1所述的控制方法，其中，

所述第1导通电压和所述第1截止电压的差、以及所述第2导通电压和所述第2截止电压的差相同，

所述第1时间点和所述第2时间点是同时的。

7.根据权利要求1所述的控制方法，其中，

所述第3导通电压和所述第3截止电的差与所述第1导通电压和所述第1截止电压的差、以及所述第2导通电压和所述第2截止电压的差相同，

所述第1时间点、所述第2时间点以及所述第3时间点是同时的。