[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202010950542.0 | 申请日： | 2020-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN112786702A | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 赵槿汇;洪炳鹤;姜明吉 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/16 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张霞 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括：有源结构，在衬底上，有源结构包括在与衬底的上表面垂直的竖直方向上交替且重复地堆叠的硅锗图案和硅图案；半导体层，在有源结构的在与衬底的上表面平行的第一方向上面对的侧壁上，半导体层是源极/漏极区；以及栅结构，在有源结构的表面和衬底上，栅结构在与第一方向垂直的第二方向上延伸，其中硅锗图案是富硅硅锗。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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