[发明专利]半导体器件

说明书

一种半导体器件，包括：有源结构，在衬底上，有源结构包括在与衬底的上表面垂直的竖直方向上交替且重复地堆叠的硅锗图案和硅图案；半导体层，在有源结构的在与衬底的上表面平行的第一方向上面对的侧壁上，半导体层是源极/漏极区；以及栅结构，在有源结构的表面和衬底上，栅结构在与第一方向垂直的第二方向上延伸，其中硅锗图案是富硅硅锗。

相关申请的交叉引用

于2019年11月5日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2019-0140410通过引用整体并入本文中。

技术领域

实施例涉及半导体器件。

背景技术

在半导体器件中，可以在有源鳍结构上形成鳍式场效应晶体管，在有源鳍结构中交替堆叠不同的半导体材料。

发明内容

可以通过提供一种半导体器件来实现实施例，该半导体器件包括：有源结构，在衬底上，有源结构包括在与衬底的上表面垂直的竖直方向上交替且重复地堆叠的硅锗图案和硅图案；半导体层，在有源结构的侧壁上，所述侧壁在与衬底的上表面平行的第一方向上面对，半导体层是源极/漏极区；以及栅结构，在有源结构的表面和衬底上，栅结构在与第一方向垂直的第二方向上延伸，其中硅锗图案是富硅硅锗。

可以通过提供一种半导体器件来实现实施例，该半导体器件包括：有源结构，在衬底上，有源结构包括在与衬底的上表面垂直的竖直方向上交替且重复地堆叠的硅锗图案和硅图案；栅结构，在有源结构的上表面和有源结构的在与衬底的上表面平行的第二方向上面对的两个侧壁上，栅结构在第二方向上延伸；以及硅层，在有源结构的在与第二方向垂直的第一方向上面对的两个侧壁上，以及在栅结构的在第一方向上的两侧处，硅层是源极/漏极区；其中，硅锗图案中的硅浓度为大约70％至大约85％。

可以通过提供一种半导体器件来实现实施例，该半导体器件包括：第一有源结构，在衬底的第一区域上，第一有源结构包括在与衬底的表面垂直的竖直方向上彼此间隔开的硅图案；第一栅结构，在衬底和第一有源结构上，并填充第一有源结构中的在竖直方向上的硅图案之间的间隙；第二有源结构，在衬底的第二区域上，第二有源结构包括在竖直方向上交替且重复地堆叠的硅锗图案和硅图案；以及第二栅结构，在第二有源结构的表面和衬底上，其中，第二有源结构中的硅锗图案为富硅硅锗。

附图说明

通过参考附图详细描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员将是显而易见的，在附图中：

图1A、图1B、图2和图3示出了根据示例实施例的半导体器件的截面图、透视图和平面图；

图4是第一半导体图案和第二半导体图案的能带；

图5至图8示出了每个有源结构中的第一半导体图案中的硅浓度的透视图；

图9至图19示出了根据示例实施例的制造半导体器件的方法中的各阶段的截面图、平面图和透视图；

图20和图21示出了根据示例实施例的半导体器件的截面图和透视图；

图22和图23示出了每个有源结构中的初步第一半导体图案中的硅浓度的透视图；

图24示出了根据示例实施例的半导体器件的截面图；

图25至图28示出了根据示例实施例的制造半导体器件的方法中的各阶段的截面图；

图29示出了根据示例实施例的半导体器件的截面图；

图30和图31示出了根据示例实施例的制造半导体器件的方法中的各阶段的透视图；以及

图32和图33示出了根据示例实施例的制造半导体器件的方法中的各阶段的截面图和透视图。

具体实施方式