[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

有源结构，在衬底上，所述有源结构包括在与所述衬底的上表面垂直的竖直方向上交替且重复地堆叠的硅锗图案和硅图案；

半导体层，在所述有源结构的侧壁上，所述侧壁在与所述衬底的上表面平行的第一方向上面对，所述半导体层是源极/漏极区；以及

栅结构，在所述有源结构的表面和所述衬底上，所述栅结构在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸，

其中，所述硅锗图案是富硅硅锗。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述硅锗图案中的每一个硅锗图案中的硅浓度为70％至85％。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述有源结构中的每一个硅锗图案中的硅浓度不同于所述有源结构中的其他硅锗图案中的硅浓度，并且

所述硅浓度取决于所述硅锗图案中的每一个硅锗图案在所述竖直方向上距所述衬底的距离。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，远离所述衬底的一个硅锗图案中的硅浓度高于靠近所述衬底的一个硅锗图案中的硅浓度。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述硅锗图案中的每一个硅锗图案中的硅浓度根据在所述硅锗图案中的每一个硅锗图案内的水平位置而不同。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中：

所述硅锗图案中的每一个硅锗图案在所述第一方向上面对的侧壁处具有最高的硅浓度，并且

所述硅浓度从在所述第一方向上面对的所述侧壁朝着所述硅锗图案中的每一个硅锗图案的中心部分而减小。

7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中：

所述硅锗图案中的每一个硅锗图案在其在所述第二方向上面对的侧壁处具有最高的硅浓度，并且

所述硅浓度从在所述第二方向上面对的所述侧壁朝着所述硅锗图案中的每一个硅锗图案的中心部分而减小。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述栅结构在所述有源结构的上表面和在所述第二方向上面对的两个侧壁上，并且

所述栅结构包括栅绝缘层图案、栅图案和硬掩模。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅绝缘层图案的厚度大于所述硅锗图案之一在所述竖直方向上的高度的1/2。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体层包括硅层。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：间隔物，在所述栅结构的在所述第一方向上面对的两个侧壁上。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：遮盖半导体图案，覆盖所述有源结构的在所述第二方向上面对的侧壁。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，所述遮盖半导体图案包括硅。

14.一种半导体器件，包括：

有源结构，在衬底上，所述有源结构包括在与所述衬底的上表面垂直的竖直方向上交替且重复地堆叠的硅锗图案和硅图案；

栅结构，在所述有源结构的上表面和所述有源结构的在与所述衬底的上表面平行的第二方向上面对的两个侧壁上，所述栅结构在所述第二方向上延伸；以及

硅层，在所述有源结构的在与所述第二方向垂直的第一方向上面对的两个侧壁上，以及在所述栅结构的在所述第一方向上的两侧处，所述硅层是源极/漏极区；

其中，所述硅锗图案中的硅浓度为70％至85％。