[发明专利]一种高密度互连芯片结构在审
| 申请号： | 202010943436.X | 申请日： | 2020-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN112201647A | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 周云 | 申请（专利权）人： | 苏州通富超威半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/498;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 郭栋梁 |
| 地址： | 215000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种高密度互连芯片结构，所述高密度互连芯片结构包括：芯片组件，所述芯片组件包括互连的功能芯片和连接芯片；及基板，所述功能芯片连接至所述基板的第一表面，所述第一表面设有凹槽，所述凹槽位于所述功能芯片在所述基板的投影区，所述凹槽容纳填充胶，所述填充胶的粘度随着温度升高而增大，所述连接芯片设置于所述凹槽内。本申请通过在凹槽设置填充胶，该填充胶的粘度随着温度升高而增大，填充胶能够支持连接芯片，使得连接芯片与功能芯片之间的间隙保持不变，第二焊点冷却至常温，第二焊点依旧能够连接连接芯片与功能芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高密度 互连 芯片 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州通富超威半导体有限公司，未经苏州通富超威半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010943436.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
