[发明专利]一种高密度互连芯片结构

说明书

本申请公开了一种高密度互连芯片结构，所述高密度互连芯片结构包括：芯片组件，所述芯片组件包括互连的功能芯片和连接芯片；及基板，所述功能芯片连接至所述基板的第一表面，所述第一表面设有凹槽，所述凹槽位于所述功能芯片在所述基板的投影区，所述凹槽容纳填充胶，所述填充胶的粘度随着温度升高而增大，所述连接芯片设置于所述凹槽内。本申请通过在凹槽设置填充胶，该填充胶的粘度随着温度升高而增大，填充胶能够支持连接芯片，使得连接芯片与功能芯片之间的间隙保持不变，第二焊点冷却至常温，第二焊点依旧能够连接连接芯片与功能芯片。

技术领域

本申请涉及芯片技术领域，尤其涉及一种高密度互连芯片结构。

背景技术

多芯片组件(MCM)封装是将多个芯片封装在一个基板上，完成一定的电路功能。在多芯片组件XY二维封装的基础上向Z方向发展出现了三维多芯片组件(3D-MCM)。它是将芯片沿Z轴叠层在一起，更大限度地提高封装密度，缩小封装尺寸。

3D封装包括埋置式，将正装互连芯片连接两颗或更多倒装功能芯片，由于空间不够正装芯片需在基板挖槽放置。然而，正装互连芯片与倒装功能芯片焊接时，容易出现焊接不良的问题。

发明内容

因此，本发明提供一种高密度互连芯片结构，至少部分地解决上面提到的问题。

本发明提供了一种高密度互连芯片结构，该高密度互连芯片结构包括：芯片组件和基板。

所述芯片组件包括互连的功能芯片和连接芯片；

所述功能芯片连接至所述基板的第一表面，所述第一表面设有凹槽，所述凹槽位于所述功能芯片在所述基板的投影区，所述凹槽容纳填充胶，所述填充胶的粘度随着温度升高而增大，所述连接芯片设置于所述凹槽内。

作为可实现的优选方式，所述凹槽的深度大于所述连接芯片的厚度。

作为可实现的优选方式，还包括第一焊点，所述第一焊点用于连接所述功能芯片与所述基板，所述第一焊点设置于所述凹槽外的四周。

作为可实现的优选方式，所述第一焊点的熔融温度高于所述填充胶的凝固温度。

作为可实现的优选方式，所述第一焊点呈阵列布置。

作为可实现的优选方式，还包括第二焊点，所述第二焊带用于连接所述功能芯片与所述连接芯片，所述第二焊点设置于所述功能芯片或所述连接芯片。

作为可实现的优选方式，所述第二焊点的熔融温度高于所述填充胶的凝固温度。

作为可实现的优选方式，所述第二焊点呈阵列布置。

作为可实现的优选方式，所述基板是印制电路板，由陶瓷或层压板制成的多层布线板。

本申请通过在凹槽设置填充胶，该填充胶的粘度随着温度升高而增大，填充胶能够支持连接芯片，使得连接芯片与功能芯片之间的间隙保持不变，第二焊点冷却至常温，第二焊点依旧能够连接连接芯片与功能芯片；填充胶能够均布铺设与凹槽的底部，填充胶水平支撑连接芯片；降低凹槽的加工难度；填充胶的凝固温度与第一焊点的熔融温度相等，使得互连芯片的上表面与功能芯片的下表面之间的距离时时为定值。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1是现有技术的一种高密度互连芯片结构的结构示意图；

图2是现有技术的一种高密度互连芯片结构的结构示意图；

图3是根据本申请的实施方式的第一种高密度互连芯片结构的结构示意图；

图4是图3的俯视图。

具体实施方式