[发明专利]发光二极管外延片的制备方法及发光二极管外延片有效
| 申请号： | 202010936378.8 | 申请日： | 2020-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN112259647B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 洪威威;王倩;梅劲;张奕;董彬忠 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开提供了发光二极管外延片的制备方法及发光二极管外延片，属于发光二极管制作领域。生长多量子阱层中的InGaN阱层时，向反应腔内通入In源、Ga源与N源，生长InGaN薄膜。再关闭In源、Ga源与N源，对InGaN薄膜保温第一设定时间。在关闭In源、Ga源与N源这一段时间内，InGaN薄膜处于接近退火的状态，InGaN薄膜内部原子与分子会自行移动至较为稳定的状态，也可以释放InGaN薄膜内的应力，提高InGaN薄膜整体晶体质量。最终循环生长得到的InGaN阱层的晶体质量较好，多量子阱层的晶体质量得到提高，最终提高发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
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