[发明专利]发光二极管外延片的制备方法及发光二极管外延片

说明书

本公开提供了发光二极管外延片的制备方法及发光二极管外延片，属于发光二极管制作领域。生长多量子阱层中的InGaN阱层时，向反应腔内通入In源、Ga源与N源，生长InGaN薄膜。再关闭In源、Ga源与N源，对InGaN薄膜保温第一设定时间。在关闭In源、Ga源与N源这一段时间内，InGaN薄膜处于接近退火的状态，InGaN薄膜内部原子与分子会自行移动至较为稳定的状态，也可以释放InGaN薄膜内的应力，提高InGaN薄膜整体晶体质量。最终循环生长得到的InGaN阱层的晶体质量较好，多量子阱层的晶体质量得到提高，最终提高发光二极管的发光效率。

技术领域

本公开涉及发光二极管制作领域，特别涉及发光二极管外延片的制备方法及发光二极管外延片。

背景技术

LEDLight Emitting Diode，发光二极管是一种能发光的半导体电子元件。作为一种高效、环保、绿色新型固态照明光源，正在被迅速广泛地得到应用，如交通信号灯、汽车内外灯、城市景观照明、手机背光源等，提高芯片发光效率是LED不断追求的目标。

当前的、发光二极管的外延片通常包括衬底及在衬底上依次生长的n型层、多量子阱层及p型层。多量子阱层包括交替层叠的InGaN阱层与GaN垒层，载流子在InGaN阱层中复合发光。由于InGaN阱层与GaN垒层之间仍存在一定的晶格失配，InGaN阱层与GaN垒层之间的晶格失配导致InGaN阱层与GaN垒层在生长时会存在较多的缺陷，导致最终得到的多量子阱层的晶体质量不够理想，得到的发光二极管的发光效率不够高。

发明内容

本公开实施例提供了发光二极管外延片的制备方法及发光二极管外延片，能够提高最终得到的多量子阱层的晶体质量进而提高发光二极管的发光效率。所述技术方案如下：

本公开实施例提供了一种发光二极管外延片的制备方法，所述制备方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上生长n型层；

在所述n型层上交替生长多个InGaN阱层与GaN垒层以形成多量子阱层；

在所述多量子阱层上生长p型层；

生长所述多量子阱层中的所述InGaN阱层，包括：

向反应腔内通入In源、Ga源与N源，生长InGaN薄膜，关闭所述In源、所述Ga源与所述N源并保温第一设定时间，

循环以上步骤直至得到所述InGaN阱层。

可选地，生长所述多量子阱层中的所述InGaN阱层，还包括：

向反应腔内通入In源、Ga源与N源，生长第一InGaN薄膜，关闭所述In源、所述Ga源与所述N源并保温第一设定时间；

向反应腔内通入In源、Ga源与N源，在所述第一InGaN薄膜上生长第二InGaN薄膜，关闭所述In源、所述Ga源与所述N源并保温第一设定时间，所述第二InGaN薄膜的In组分含量高于所述第一InGaN薄膜的In组分含量；

循环以上步骤直至得到所述InGaN阱层。

可选地，所述第二InGaN薄膜的保温温度比所述第一InGaN薄膜的保温温度低10～30℃。

可选地，所述第一InGaN薄膜的保温温度为30～100℃。

可选地，所述第一InGaN薄膜的生长厚度大于所述第二InGaN薄膜的生长厚度。

可选地，所述第二InGaN薄膜的生长温度比所述第一InGaN薄膜的生长温度低10～30℃。

可选地，生长所述多量子阱层中的所述GaN垒层，包括：