[发明专利]发光二极管外延片的制备方法及发光二极管外延片

权利要求书

1.一种发光二极管外延片的制备方法，所述制备方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上生长n型层；

在所述n型层上交替生长多个InGaN阱层与GaN垒层以形成多量子阱层；

在所述多量子阱层上生长p型层；

其特征在于，生长所述多量子阱层中的所述InGaN阱层，包括：

向反应腔内通入In源、Ga源与N源，生长第一InGaN薄膜，关闭所述In源、所述Ga源与所述N源并保温第一设定时间，所述第一InGaN薄膜的保温温度为30~100℃，

向反应腔内通入In源、Ga源与N源，在所述第一InGaN薄膜上生长第二InGaN薄膜，关闭所述In源、所述Ga源与所述N源并保温第一设定时间，所述第二InGaN薄膜的In组分含量高于所述第一InGaN薄膜的In组分含量，所述第二InGaN薄膜的保温温度比所述第一InGaN薄膜的保温温度低10~30℃，所述第一InGaN薄膜的生长厚度大于所述第二InGaN薄膜的生长厚度；

循环以上步骤直至得到所述InGaN阱层。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，生长所述多量子阱层中的所述GaN垒层，包括：

向反应腔内通入Ga源与N源，生长GaN薄膜，关闭所述Ga源与所述N源并保温第二设定时间，

循环以上步骤直至得到所述GaN垒层。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，生长所述多量子阱层中的所述GaN垒层，还包括：

向反应腔内通入Ga源与N源，生长第一GaN薄膜，关闭所述Ga源与所述N源并保温第二设定时间；

向反应腔内通入Ga源与N源，在所述第一GaN薄膜上生长第二GaN薄膜，关闭所述Ga源与所述N源并保温第二设定时间，所述第二GaN薄膜的保温温度高于所述第一GaN薄膜的保温温度10~50℃；

循环以上步骤直至得到所述GaN垒层。

4.一种发光二极管外延片，其特征在于，所述发光二极管外延片采用如权利要求1所述的发光二极管外延片的制备方法制备，所述发光二极管外延片包括衬底及依次层叠在所述衬底上的n型层、多量子阱层与p型层，所述多量子阱层包括多个交替层叠的InGaN阱层及GaN垒层，所述InGaN阱层采用如权利要求1~3任一项所述的制备方法制备。

5.根据权利要求4所述的发光二极管外延片，其特征在于，每个所述InGaN阱层均包括多个交替层叠的第一InGaN薄膜层与第二InGaN薄膜层，所述第一InGaN薄膜层的In组分含量低于所述第二InGaN薄膜层的In组分含量。