[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202010930970.7 | 申请日： | 2020-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN114156255A | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 于海龙;荆学珍;张浩;雒建明;韩静利 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：基底，所述基底内具有第一导电层，所述基底暴露出所述第一导电层顶部；位于所述基底上的第一介质层，且所述第一介质层内具有暴露出所述第一导电层顶部表面的开口；位于所述开口暴露出的第一导电层上的第一反应层，所述第一反应层的材料具有第一电阻率，且所述第一电阻率在预设范围之内。所述第一反应层有利于降低第二导电层和第一导电层之间的电阻，从而有利于提高形成的半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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