[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底，所述基底内具有第一导电层，所述基底暴露出所述第一导电层顶部；

位于所述基底上的第一介质层，且所述第一介质层内具有暴露出所述第一导电层顶部表面的开口；

位于所述开口暴露出的第一导电层上的第一反应层，所述第一反应层的材料具有第一电阻率，且所述第一电阻率在预设范围之内。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述第一反应层上的缓冲层，所述缓冲层的材料具有第二电阻率，且所述第一电阻率小于所述第二电阻率。

3.如权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述第一反应层和第一导电层之间的第二反应层。

4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第二反应层的材料具有第三电阻率，所述第一导电层的材料具有第四电阻率，且所述第三电阻率小于所述第四电阻率。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一反应层的材料包括：金属硅化物；所述金属硅化物包括：硅化钛或者硅化钽。

6.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述缓冲层的材料包括：钛或者钽。

7.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第二反应层的材料包括：金属硅化物。

8.如权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述第一反应层上和开口侧壁表面的阻挡层；位于所述阻挡层表面的第二导电层，且所述第二导电层填充满所述开口。

9.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述阻挡层位于所述缓冲层表面。

10.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述阻挡层的材料包括：氮化钛、氮化钽或者氮化钨。

11.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一导电层的材料包括：金属或金属化合物，所述金属包括：钨、铜、钴、钛、钽或钌，所述金属化合物包括：氮化钛、氮化钽或氮化钌。

12.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述基底包括衬底和位于衬底表面的第二介质层，所述第一导电层位于所述第二介质层内，且所述第二介质层暴露出所述第一导电层顶部。

13.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底内具有第一导电层，且所述基底暴露出所述第一导电层顶部；

在所述基底上形成第一介质层，且所述第一介质层内具有暴露出所述第一导电层顶部表面的开口；

在所述开口底部暴露出的第一导电层上形成反应材料膜；

在所述反应材料膜表面形成缓冲材料膜；

使所述反应材料膜与所述缓冲材料膜反应，形成第一反应层，所述第一反应层的材料具有第一电阻率，所述缓冲材料膜具有第二电阻率，且所述第一电阻率小于所述第二电阻率。

14.如权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述反应材料膜的材料包括：无定形硅或者单晶硅；所述反应材料膜的厚度范围为9埃至49埃。

15.如权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述缓冲材料膜的材料包括：钛或者钽；所述缓冲材料膜的厚度范围为20埃至50埃。

16.如权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述反应材料膜的形成方法包括：在所述开口底部暴露出的第一导电层表面形成初始反应材料膜；部分所述初始反应材料膜与第一导电层反应，形成第二反应层，剩余的所述初始反应材料膜形成所述反应材料膜。