[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：基底，所述基底内具有第一导电层，所述基底暴露出所述第一导电层顶部；位于所述基底上的第一介质层，且所述第一介质层内具有暴露出所述第一导电层顶部表面的开口；位于所述开口暴露出的第一导电层上的第一反应层，所述第一反应层的材料具有第一电阻率，且所述第一电阻率在预设范围之内。所述第一反应层有利于降低第二导电层和第一导电层之间的电阻，从而有利于提高形成的半导体结构的性能。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方 法。

背景技术

金属互连结构是半导体器件中不可或缺的结构，用于实现有源区与有源区 之间的互连、晶体管和晶体管之间的互连、或者不同层金属线之间的互连，完 成信号的传输和控制。因此，在半导体制造过程中，金属互连结构的形成对 半导体器件的性能以及半导体制造成本有着很大的影响。

所述金属互连结构的形成方法为：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成 第一介质层，所述第一介质层内具有第一开口；在所述第一开口内形成第一 插塞；形成所述第一插塞之后，在所述第一插塞表面和第一介质层表面形成 第二介质层；在所述第二介质层内形成第二开口；形成所述第二开口之后， 在所述第二开口内形成第二插塞。所述第一插塞和第二插塞构成金属互连结 构。

然而，现有技术形成的金属互连结构的性能较差。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种半导体结构及其形成方法，以提高形 成的半导体结构的性能。

为解决上述技术问题，本发明技术方案提供一种半导体结构，包括：基 底，所述基底内具有第一导电层，所述基底暴露出所述第一导电层顶部；位 于所述基底上的第一介质层，且所述第一介质层内具有暴露出所述第一导电 层顶部表面的开口；位于所述开口暴露出的第一导电层上的第一反应层，所 述第一反应层的材料具有第一电阻率，且所述第一电阻率在预设范围之内。

可选的，还包括：位于所述第一反应层上的缓冲层，所述缓冲层的材料 具有第二电阻率，且所述第一电阻率小于所述第二电阻率。

可选的，还包括：位于所述第一反应层和第一导电层之间的第二反应层。

可选的，所述第二反应层的材料具有第三电阻率，所述第一导电层的材 料具有第四电阻率，且所述第三电阻率小于所述第四电阻率。

可选的，所述第一反应层的材料包括：金属硅化物；所述金属硅化物包 括：硅化钛或者硅化钽。

可选的，所述缓冲层的材料包括：钛或者钽。

可选的，所述第二反应层的材料包括：金属硅化物。

可选的，还包括：位于所述第一反应层上和开口侧壁表面的阻挡层；位 于所述阻挡层表面的第二导电层，且所述第二导电层填充满所述开口。

可选的，所述阻挡层位于所述缓冲层表面。

可选的，所述阻挡层的材料包括：氮化钛、氮化钽或者氮化钨。

可选的，所述第一导电层的材料包括：金属或金属化合物，所述金属包 括：钨、铜、钴、钛、钽或钌，所述金属化合物包括：氮化钛、氮化钽或氮 化钌。

可选的，所述基底包括衬底和位于衬底表面的第二介质层，所述第一导 电层位于所述第二介质层内，且所述第二介质层暴露出所述第一导电层顶部。