[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法在审
| 申请号： | 202010920018.9 | 申请日： | 2020-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN112509900A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 池田太郎;久保敦史;镰田英纪;山本伸彦 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01Q1/22;H01Q9/30;H01Q21/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，在基板的背面进行局部的成膜。该等离子体处理装置具有：处理容器；基板保持机构，其配置于所述处理容器内，并保持基板；电介质窗，其配置于所述基板保持机构的下方；以及相控阵天线，其配置于所述电介质窗的下方，并放射多个电磁波。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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