[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法

说明书

本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，在基板的背面进行局部的成膜。该等离子体处理装置具有：处理容器；基板保持机构，其配置于所述处理容器内，并保持基板；电介质窗，其配置于所述基板保持机构的下方；以及相控阵天线，其配置于所述电介质窗的下方，并放射多个电磁波。

技术领域

本发明涉及一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。

背景技术

由于在3D NAND等工序中进行成膜所得到的膜较厚，因此存在基板的弯曲增大的倾向。当基板弯曲时，在曝光工序中图案发生偏离而成为问题。如果能够减轻对基板的应力来使基板平坦，则可以解决在曝光工序中图案发生偏离的问题。

作为减轻对基板的应力的方法，例如，专利文献1提出了一种通过不仅在基板的表面进行成膜还在背面进行成膜来减少对形成元件后的基板施加的应力。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：美国专利申请公开第2015/0340225号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开提供一种能够在基板的背面进行局部的成膜的等离子体处理装置和等离子体处理方法。

用于解决问题的方案

根据本公开的一个方式，提供一种等离子体处理装置，其具有：处理容器；基板保持机构，其配置于所述处理容器内，并保持基板；电介质窗，其配置于所述基板保持机构的下方；以及相控阵天线，其配置于所述电介质窗的下方，并放射多个电磁波。

发明的效果

根据本公开的一个方面，能够在基板的背面进行局部的成膜。

附图说明

图1是示出一个实施方式所涉及的等离子体处理装置的一例的示意截面图。

图2是示出一个实施方式所涉及的相控阵天线的一例的图。

图3是用于说明一个实施方式所涉及的相位控制的图。

图4是示出通过一个实施方式所涉及的相位控制进行的成膜的扫描图案的一例的图。

图5是示出一个实施方式所涉及的等离子体处理装置的光学传感器的位置的一例的图。

图6是示出图5的A-A面的一例的图。

图7是示出一个实施方式所涉及的等离子体处理装置的光学传感器的位置的其它例的图。

图8是示出一个实施方式所涉及的等离子体处理装置的光学传感器的位置的其它例的图。

图9是示出一个实施方式所涉及的等离子体处理方法的一例的流程图。

图10是示出一个实施方式所涉及的电介质窗中的电场分布的一例的图。

图11是示出一个实施方式所涉及的等离子体处理方法的效果的一例的图。

附图标记说明

1：处理容器；2：相控阵天线；3：基板保持机构；5：电介质窗；6：微波输出部；7：相位器；8：控制部；9：底板；10：等离子体处理装置；11：单极天线；12：加热源；121：内部导体；122：外部导体；125：放射部；W：基板。

具体实施方式