[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，具有：

处理容器；

基板保持机构，其配置于所述处理容器内，并保持基板；

电介质窗，其配置于所述基板保持机构的下方；以及

相控阵天线，其配置于所述电介质窗的下方，并放射多个电磁波。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

还具有传感器，该传感器对保持于所述基板保持机构的所述基板的弯曲程度进行测定。

3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，

还具有控制部，该控制部根据通过所述传感器测定出的所述基板的弯曲程度，来控制从所述相控阵天线放射的多个所述电磁波的相位。

4.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，

还具有气体供给部，该气体供给部将气体供给到所述电介质窗与所述基板之间的生成等离子体的空间，

所述控制部通过在所述空间从所述气体生成的等离子体，来控制与所述基板的弯曲程度相应的所述基板的背面成膜。

5.根据权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述控制部根据时间改变多个所述电磁波的相位，来控制所述基板的背面成膜。

6.根据权利要求1～5中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述基板保持机构与驱动机构连接，

所述基板保持机构能够通过所述驱动机构在所述处理容器内沿上下方向移动。

7.根据权利要求1～6中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，

相对于所述电磁波的波长λ，从所述相控阵天线到所述电介质窗的垂直距离大于λ/4。

8.根据权利要求1～7中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述相控阵天线分别具有单极天线。

9.根据权利要求1～8中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，

相对于所述电磁波的波长λ，从所述相控阵天线的中心到相邻的所述相控阵天线的中心的距离小于λ/2。

10.根据权利要求1～9中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，

多个所述电磁波的频率为100MHz以上。

11.根据权利要求10所述的等离子体处理装置，其特征在于，

多个所述电磁波的频率为1GHz～3GHz。

12.一种等离子体处理方法，由等离子体处理装置执行，该等离子体处理装置具有处理容器、配置于所述处理容器内并保持基板的基板保持机构、配置于所述基板保持机构的下方的电介质窗以及配置于所述电介质窗的下方并放射多个电磁波的相控阵天线，所述等离子体处理方法包括以下工序：

将基板保持于所述基板保持机构；

控制从所述相控阵天线放射的多个所述电磁波的相位；

将被控制了相位的多个所述电磁波的各个所述电磁波从对应的各个所述相控阵天线向所述处理容器内放射；

将气体供给到所述电介质窗与所述基板之间的生成等离子体的空间；以及

通过在所述空间生成的等离子体，基于表示基板的弯曲程度的信息在所述基板的背面进行成膜。

13.根据权利要求12所述的等离子体处理方法，其特征在于，

表示所述基板的弯曲程度的信息是所述基板的背面的状态、所述基板的表面的状态或者所述基板的背面的膜厚中的任一方的测定值。

14.根据权利要求12或13所述的等离子体处理方法，其特征在于，

针对基于预先决定的成膜条件在表面进行了成膜的模拟基板进行对所述基板的弯曲程度的测定、针对基于所述成膜条件在表面进行了成膜的每个基板进行对所述基板的弯曲程度的测定、或者针对基于所述成膜条件在表面进行了成膜的多个所述基板中的至少任一个基板进行对所述基板的弯曲程度的测定。