[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 202010914374.X | 申请日： | 2020-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN112018097B | 公开（公告）日： | 2022-09-23 |
| 发明（设计）人： | 刘峻 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L21/98;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 杜娟;骆希聪 |
| 地址： | 430079 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括：第一结构，包括沿第一方向延伸的若干第一管芯，所述第一管芯具有第一侧壁，所述第一侧壁沿所述第一管芯的厚度方向延伸；第二结构，在所述第一方向上位于所述第一结构的一侧，所述第二结构包括若干第二管芯；以及所述第一结构和所述第二结构在所述第一侧壁电性接触。本发明通过管芯的侧壁与一个管芯或多个管芯形成的管芯堆叠结构电性接触，避免了单纯的沿垂直方向堆叠所带来的问题，使半导体器件的应力平衡，保证晶圆间键合强度，并且缩短器件之间的距离，提高了器件的互连性能，减少了硅晶圆材料的消耗。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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