[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

第一结构，包括沿第一方向延伸的若干第一管芯，所述第一管芯具有第一侧壁，所述第一侧壁沿所述第一管芯的厚度方向延伸；

第二结构，在所述第一方向上位于所述第一结构的一侧，所述第二结构包括若干第二管芯；以及

所述第一结构和所述第二结构在所述第一侧壁电性接触；

逻辑管芯，所述第一结构和所述第二结构位于所述逻辑管芯上方；所述逻辑管芯与所述第一结构的所述第一管芯电性连接；和/或，所述逻辑管芯与所述第二结构的所述第二管芯电性连接；

其中，所述第一结构包括与所述逻辑管芯相邻的第一底面，在所述第一底面和所述逻辑管芯的顶面之间包括第二微凸点，所述逻辑管芯与所述第一结构通过所述第二微凸点电性接触；和/或，所述第二结构包括与所述逻辑管芯相邻的第二底面，在所述第二底面和所述逻辑管芯的顶面之间包括第三微凸点，所述逻辑管芯与所述第二结构通过所述第三微凸点电性接触；

还包括贯穿所述逻辑管芯的多个第三互连结构，部分所述第二微凸点与部分所述多个第三互连结构相对应并连接，部分所述第三微凸点与部分所述第三互连结构相对应并连接。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二结构包括与所述第一结构相邻的第二侧壁，在所述第二侧壁和所述第一侧壁之间包括第一微凸点，所述第一结构和所述第二结构通过所述第一微凸点电性接触。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一结构包括多个所述第一管芯，多个所述第一管芯沿垂直于所述第一方向的第二方向堆叠；和/或，

所述第二结构包括多个所述第二管芯，多个所述第二管芯沿垂直于所述第一方向的第二方向堆叠。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一结构包括多个所述第一管芯，多个所述第一管芯沿垂直于所述第一方向的第二方向堆叠；和/或，

所述第二结构包括一个或多个沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸的第二管芯，多个所述第二管芯沿所述第一方向堆叠。

5.如权利要求3或4所述的半导体结构，其特征在于，所述多个第一管芯中的每一个包括第一键合层，所述第一键合层中包括多个导电触点和介质层，所述多个第一管芯之间通过所述第一键合层混合键合；和/或，

所述多个第二管芯中的每一个包括第二键合层，所述第二键合层中包括多个导电触点和介质层，所述多个第二管芯之间通过所述第二键合层混合键合。

6.如权利要求3或4所述的半导体结构，其特征在于，还包括贯穿堆叠的多个所述第一管芯的第一互连结构和位于相邻所述第一管芯之间的第四微凸点，所述第四微凸点与所述第一互连结构的位置对应，所述多个第一管芯之间通过所述第一互连结构和所述第四微凸点彼此电性连接；和/或

还包括贯穿堆叠的多个所述第二管芯的第二互连结构和位于相邻所述第二管芯之间的第五微凸点，所述第五微凸点与所述第二互连结构的位置对应，所述多个第二管芯之间通过所述第二互连结构和所述第五微凸点彼此电性连接。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括贯穿所述若干第一管芯的接触区，所述接触区包括沟槽和/或通孔。